Liquid‐Phase Epitaxy of (Hg, Cd)Te on CdTe Substrates by a Vertical Dipping Technique

Abstract

Hg,-,Cd,Te layers on CdTe substrates were grown from Te-rich melt solutions by a vertical dipping technique using a special quasi-closed system with ground-glass sealing. Results are good reproducibilities of the electrical properties after annealing in Hg-rich atmosphere (p77 = 2 . l0l6 ~m -~, p,7 x 500 cm' V -l s -l ) and of the x-value, respectively. A horizontal position of the substrate downwards to the melt solution yields, in difference to a vertical one, to homogeneous layer thicknesses. Short meltback steps before growth leads to sharper profiles of composition.Hg, -,Cd,Te Schichten auf CdTe Substraten wurden aus Te-reicher Schmelzlosung mittels Eintauchtechnik (Dipping-LPE) in einem schliffgedichteten, quasigeschlossenen System geziichtet. Gute Reproduzierbarkeiten der x-Werte und der elektrischen Parameter nach Tempern in Hg-reicher Atmosphare (p77 z 2 . 1 0 '~c m -~, p , ,x 5 0 0~m -~V -' s -') konnten erzielt werden. Eine horizontale Substratlage fiihrt, im Unterschied zur vertikalen Lage, zu homogenen Schichtdickenverlaufen. Kurzes Rucklosen vor dem Wachstum fuhrt zu scharferen x-Wert-Grenzflachenprofilen.