Low-phase-noise low-power IC VCOs for 5-8-GHz wireless applications

Jacobsson, H.; Gevorgian, Spartak; Mokhtari, M.; Hedenas, C.; Hansson, B.; Lewin, T.; Berg, H.; Rabe, W.; Schüppen, A.

doi:10.1109/22.899009

Cited by 26 publications

(6 citation statements)

References 26 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…To achieve low phase noise, heterojunction bipolar transistor (HBT) based designs are inherently better than the field effect transistor (FET) based ones because HBT device has inherently lower flicker noise corner frequency than the FET device [3]. Thus, several low phase noise oscillators have been designed in gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP) HBT and silicon germanium (SiGe) HBT technologies [1,[3][4][5]. One of the drawbacks of such oscillators is that the output power is limited by the relatively low breakdown voltage.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

“…However, the DRO is usually bulky and costly compared with the monolithic oscillator. Therefore research on design of compact and low-cost monolithic oscillators with low phase noise have attracted extensive attention in the last years [1,[3][4][5][6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16][17]. To achieve low phase noise, heterojunction bipolar transistor (HBT) based designs are inherently better than the field effect transistor (FET) based ones because HBT device has inherently lower flicker noise corner frequency than the FET device [3].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

See 1 more Smart Citation

Design of an oscillator with low phase noise and medium output power in a 0.25 µm GaN‐on‐SiC high electron‐mobility transistors technology

Liu

Zhu

Boon

et al. 2015

IET Microwaves, Antennas & Propagation

View full text Add to dashboard Cite

To investigate the effects of both the drain and gate bias voltages on the performance of GaN high electronmobility transistors (HEMT) oscillator, a 0.25 µm GaN-on-SiC HEMT oscillator is presented in this study. Utilising the designed oscillator, the trade-off between phase noise and output power is effectively investigated at the circuit level. As a result, the designed oscillator can provide low phase noise and medium output power simultaneously. The phase noise at V GS = −2.3 V and V DS = 3.3 V is measured to be −112 dBc/Hz and −143 dBc/Hz at 100 kHz offset and 1 MHz offset, respectively, from a 4.954 GHz carrier, with an output power of more than 14 dBm. Moreover, the output power can be boosted to 26 dBm, if a drain bias 16 V is used, while good phase noise of −132 dBc/Hz @ 1 MHz is still achievable. The achieved phase noise is low among all reported GaN HEMT oscillators. This work has successfully demonstrated that the monolithic oscillator fabricated in GaN-on-SiC HEMT technology features low phase noise as well as medium output power simultaneously.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Design of an oscillator with low phase noise and medium output power in a 0.25 µm GaN‐on‐SiC high electron‐mobility transistors technology

Liu

Zhu

Boon

et al. 2015

IET Microwaves, Antennas & Propagation

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Στη δημοσίευση [67] Τα κυκλώματα με διαφορική τοπολογία χρησιμοποιούν στις περισσό-Σχεδίαση ολοκληρωμένων ταλαντωΐών τερες περιπτώσεις χιαστί συνδεδεμένο διαφορικό ζεύγος [79], [68], [78], [73], [75], ενώ σε μία περίπτωση χρησιμοποιείται η διαφορική τοπολογία Colpitis [72]. Στις διαφορικές τοπολογίες χρησιμοποιούνται δύο ίδια συ ντονισμένα κυκλώματα.…”

Section: σύγκριση υπαρχόντων κυκλωμάτων πλήρως ολο κληρωμένων ταλαντωτώνunclassified

“…Σε όλα τα διαφορικά κυκλώματα, εκτός από της διαφορικής Colpitts τοπολογίας, η έξοδος του κυκλώματος συνδέεται κατευθείαν στο συντονισμένο κύκλωμα. Στις δημοσιεύσεις [79] και [78] χρησιμοποιούνται διπολικά τρανζίστορ και χωρητική σύζευξη στο διαφορικό ζεύγος. Στη δημοσίευση [79] τα πηνία έχουν υλοποιηθεί σαν μεταλλικά stubs και οι συντελεστές ποιότητας τους έχουν τιμές μεγαλύτερες του 10 στα 5GHz.…”

Section: σύγκριση υπαρχόντων κυκλωμάτων πλήρως ολο κληρωμένων ταλαντωτώνunclassified

“…Στις δημοσιεύσεις [79] και [78] χρησιμοποιούνται διπολικά τρανζίστορ και χωρητική σύζευξη στο διαφορικό ζεύγος. Στη δημοσίευση [79] τα πηνία έχουν υλοποιηθεί σαν μεταλλικά stubs και οι συντελεστές ποιότητας τους έχουν τιμές μεγαλύτερες του 10 στα 5GHz. Το γενικό σχηματικό διάγραμμα φαίνεται στο σχήμα 6.3.…”

Section: σύγκριση υπαρχόντων κυκλωμάτων πλήρως ολο κληρωμένων ταλαντωτώνunclassified

See 1 more Smart Citation

Σχεδίαση Πλήρως Ολοκληρωμένων Ταλαντωτών Σε Τεχνολογίες Πυριτίου Για Τηλεπικοινωνιακές Εφαρμογές

Κυρανάς¹

View full text Add to dashboard Cite

Το πρόβλημα είναι ο σχεδιαστής να καταλάβει το κύκλωμα' 'Από υδροπότας ουδέν έργον βιώσιμον' Κρατίνος ü Ill Η παρούσα εργασία εκπονήθηκε στα πλαίσια των Μεταπτυχιακών μου σπουδών για την απόκτηση του Διδακτορικού Διπλώματος στο Τμήμα Ηλεκτρολόγων Μηχανικών και Μηχανικών Υπολογιστών του Ε.Μ.Π. Για την επιτυχή ολοκλήρωση μίας Διδακτορικής Διατριβής, εκτός από την προσωπική εργασία του Μεταπτυχιακού φοιτητή, είναι απαραίτητη και η συμβολή πολλών άλλων παραγόντων. Έτσι θα ήθελα να ευχαριστήσω τον επιβλέποντα καθηγητή Ι. Παπανάνο για την εμπιστοσύνη και την ευκαιρία που μου έδωσε να ασχοληθώ με το συγκεκριμένο θέμα και να χρησιμοποιήσω τον εξοπλισμό του Εργαστηρίου Ηλεκτρονικής. Τους Καθηγητές Χ. Χαλκιά και Ν. Ουζούνογλου ως μέλη της τριμελούς μου επιτροπής. Τους συναδέλφους στο Εργαστήριο που ανέχθηκαν τις φωνές μου. Τον κ. J. Jongsma από την εταιρία AMS για τη δυνατότητα που μας παρείχε για την κατασκευή του κυκλώματος και τις πληροφορίες για την τεχνολογία κατασκευής. Τον Δρ. Γ. Στρατάκο για τις πρακτικές συμβουλές στο πειραματικό μέρος της διατριβής. Το Εργαστήριο Μικροκυμάτων και Οπτικών Ινών για τη δυνατότητα χρήσης του εξοπλισμού του. Τον κ. Λ. Σαραγά από το Ινστιτούτο Πυρηνικής Φυσικής του Ε.Κ.Ε.Φ.Ε. Δημόκριτος για την εξαίρετη δουλειά του στο bonding του κυκλώματος. Τέλος θα ήθελα να ευχαριστήσω τους γονείς μου για την υποστήριξη τους όλα τα χρόνια των προπτυχιακών και μεταπτυχιακών μου σπουδών. Το παρόν κείμενο χαρίζεται σε αυτούς.

show abstract

Microwave Oscillators

Choi¹,

Mortazawi²

2005

Encyclopedia of RF and Microwave Engineering

View full text Add to dashboard Cite

Microwave applications such as communications and radars require stable, efficient, and low‐noise microwave oscillators. For this purpose, microwave oscillators are characterized by their frequency of operation, output power, phase noise, long‐term stability, and DC‐to‐RF efficiency. This article discusses the small‐signal and large‐signal designs of microwave oscillators, based on the negative‐resistance model. Also, the injection‐locking phenomenon is introduced and analyzed employing the equivalent‐circuit model of injection‐locked oscillators. The phase noise of microwave oscillators is explained using Leeson's model. Several practical oscillators are examined. Finally, the state‐of‐the art result for various microwave integrated oscillators is presented.

show abstract

Low-phase-noise low-power IC VCOs for 5-8-GHz wireless applications

Cited by 26 publications

References 26 publications

Design of an oscillator with low phase noise and medium output power in a 0.25 µm GaN‐on‐SiC high electron‐mobility transistors technology

Design of an oscillator with low phase noise and medium output power in a 0.25 µm GaN‐on‐SiC high electron‐mobility transistors technology

Σχεδίαση Πλήρως Ολοκληρωμένων Ταλαντωτών Σε Τεχνολογίες Πυριτίου Για Τηλεπικοινωνιακές Εφαρμογές

Microwave Oscillators

Contact Info

Product

Resources

About