Low-temperature molecular beam epitaxy of GaAs: Influence of crystallization conditions on structure and properties of layers

Metal-Semiconductor AsSb-Al0.6Ga0.4As0.97Sb0.03 Metamaterial

“…The annealing at 600 °C causes a shift of the LT-layer-related XRD peak to larger angles. It indicates a decrease in the lattice parameter due to precipitation of the excess As primarily dissolved as antisite defects As Ga in the low-temperature-grown films [ 6 , 7 , 8 ]. In Ref.…”

“…A unique possibility to produce an array of plasmonic nanoparticles in epitaxial layers of GaAs and AlGaAs is provided by low temperature (LT) molecular beam epitaxy (MBE) under the condition of excess As [ 5 , 6 ]. Thus-grown epitaxial layers of LT-GaAs exhibit a high crystalline quality but contain a high concentration of over-stoichiometric arsenic, mostly as antisite substitutes As Ga [ 7 , 8 ]. The concentration of these defects can strongly exceed the equilibrium value and reach 2 at.%.…”

Выращивание слоев GaAs-=SUB=-1-x-=/SUB=-Bi-=SUB=-x-=/SUB=- методом молекулярно-лучевой эпитаксии

“…Из рисунка видно, что с понижением температуры роста в оптических спектрах формируются широкие хвосты поглощения, простирающиеся до длины волны 1500 нм. Подобные особенности оптической экстинкции в нестехиометрических эпитаксиальных пленках GaAs хорошо известны [21] и обусловлены поглощением и рассеянием света в неупорядоченных системах точечных антиструктурных дефектов As Ga в объеме пленки [22][23][24]. При этом величина коэффициента оптического поглощения с уменьшением температуры роста значительно возрастает вследствие увеличения концентрации нестехиометрического As [22][23][24] и для образца BP2978, выращенного при 150 • С, достигает 2 • 10 4 см −1 .…”

“…Качественная оценка величины смещения края оптического поглощения была сделана при помощи линейной интерполяции участка спектров в области 900−1000 нм относительно референтного образца BP2970. Из рассмотрения был исключен образец, выращенный при минимальной температуре 150 • С вследствие существенного влияния высокой концентрации атомов избыточного As на форму оптического спектра [22][23][24]. Результаты приведены на рис.…”

“…4. Образец, выращенный при минимальной температуре 150 • С, был исключен из рассмотрения вследствие существенного влияния высокой концентрации атомов избыточного As на форму оптического спектра [22][23][24].…”