Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок -Ga 2 O 3 та (Y 0,06 Ga 0,94 ) 2 O 3, одержаних методою високочастотного йонно-плазмового розпорошення у різних атмосферах термооброблення. Показано, що процеси спікання та росту кристалітів істотніше проявляються у плівках (Y 0,06 Ga 0,94 ) 2 O 3 , порівняно з плівками -Ga 2 O 3 . The structure, phase composition, and surface morphology of thin -Ga 2 O 3 and (Y 0.06 Ga 0.94 ) 2 O 3 films obtained by high-frequency ion-plasma sputtering in different atmospheres of heat treatment are investigated. As shown, the processes of sintering and growth of crystallites are taking place more considerably in (Y 0.06 Ga 0.94 ) 2 O 3 films as compared with -Ga 2 O 3 films. Исследована структура, фазовый состав и морфология поверхности тонких плёнок -Ga 2 O 3 и (Y 0,06 Ga 0,94 ) 2 O 3 , полученных методом высокочастотного ионно-плазменного распыления в различных атмосферах термообработки. Показано, что процессы спекания и роста кристаллитов более существенно проявляются в плёнках (Y 0,06 Ga 0,94 ) 2 O 3 по сравнению с плёнками -Ga 2 O 3 .