MAGNETIC PROPERTIES OF Fe_0.95Co_0.05Si₂ SEMICONDUCTING FILM

Abstract

The Fe 0.95 Co 0.05 Si 2 semiconducting film has been successfully grown on glass substrate by magnetron sputtering at substrate temperature of 637 K and then thermal annealing at 823 K for one hour in high vacuum. The Raman data and high Seebeck coefficient suggested that the β-Fe 0.95 Co 0.05 Si 2 semiconducting film was achieved. Room temperature ferromagnetism was observed, and the ferromagnetic phase transition was at about * Corresponding author. 1250097-1 Mod. Phys. Lett. B 2012.26. Downloaded from www.worldscientific.com by NEW YORK UNIVERSITY on 02/06/15. For personal use only. Y. P. Han et al. 380 K. The possible reason for the ferromagnetism of the β-Fe 0.95 Co 0.05 Si 2 semiconducting film was discussed.

Способ формирования пленок фазы beta-FeSi-=SUB=-2-=/SUB=- методом импульсного лазерного осаждения в вакууме

“…Например, полупроводниковое соединение β-FeSi 2 является перспективным материалом для различных приложений. Согласно данным работ [1][2][3], фаза β-FeSi 2 является прямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны 0.83−0.87 эВ, что делает данный материал перспективным для создания излучателей, работающих в важном телекоммуникационном диапазоне длин волн ∼ 1.54 мкм. Также следует отметить, что, согласно работе [4], формирование нанокластеров (например, FeSi 2 ) в матрице эпитаксиального слоя обеспечивает значительное снижение коэффициента теплопроводности, что позволяет рассматривать систему β-FeSi 2 /Si перспективной в области термоэлектрических преобразователей энергии.…”