A local variation in carrier concentration occurs in intrinsic semiconductors in the presence of crossed electric and magnetic fields which leads partly to an enhancement ("compression") and partly to a depletion. In connection with these displacements from thermal equilibrium luminescent radiation can be observed which, when related to the thermal radiation under equilibrium conditions, is positive in enhanced and negative in depleted regions. The luminescent radiation spectrum in the region of the fundamental absorption edge is directly related to the free carrier concentration profile in the sample. The report deals with theoretical and experimental results obtained with germanium exposed to Lorentz field strengths of up to 20000 TV/m (or B g 10 T) a t 400 K.Non-linear surface recombination must thereby be allowed for. The corresponding semiconductor parameters are given. The modulated galvanomagnetic luminescence exhibits the expected antiphase component a t longer wavelengths, corresponding to an increase in the separation of the quasi fermi level from the band edges for constant lattice and electron temperatures.Bei eigenleitenden Halbleitern tritt in gekreuzten elektrischen und magnetischen Feldern (,,Lorentz-Feld") eine ortsabhlingige Tragerdichteanderung ein, die teils zu einer Anreicherung (,,Kompression") teils zu einer Verarmung fuhrt. Im Zusammenhang mit diesen Abweichungen vom thermischen Gleichgewichtszustand tritt eine Lumineszenzstrahlung auf, die, bezogen auf die Temperaturstrahlung als Gleichgewichtsstrahlung in den Anreicherungsgebieten positiv, in den Verarmungsgebieten negativ ist. Das Spektrum der Lumineszenzstrahlung im Bereich der Absorptionskante steht mit dem Dichteprofil der freien TrLger in der Probe in einem eindeutigen Zusammenhang. Es wird uber theoretische und experimentelle Ergebnisse am Germanium berichtet, das bei 400 K Lorentzfeldstiirken bis zu ZOO00 TV/m (bzw. B 5 10 T) ausgesetzt ist.Dabei mu13 mit einer nichtlinearen Oberfliichenrekombination gerechnet werden. Die Halbleiterparameter werden entsprechend angegeben. Das modulierte Spektrum der galvanomagnetischen Lumineszenz zeigt im langwelligeren Teil den erwarteten gegenphasigen Anteil, der bei konstanter Gitter-und Elektronentemperatur einer DistanzvergroJerung der Quasiferminiveaus zu den Bandrandern entspricht.
