Magnetorefractive Effect in Magnetoresistive Materials

Магнитоотражение и магнитооптический эффект Керра в пленках La-=SUB=-2/3-=/SUB=-Ba-=SUB=-1/3-=/SUB=-MnO-=SUB=-3-=/SUB=- при комнатной температуре

“…1, c) при T = 295 K близок спектрам для моно-кристаллов La 1−x Ba x MnO 3 [10] и легированных ман-ганитов с КМС (например, см. [6,17] и ссылки в них). При ∼ 3.5 eV спектры δ p (E) формируются электро-дипольными переходами с переносом заряда в октаэдрических комплексах [MnO 6 ] 9− .…”

“…Корреляция температурных и полевых зависимостей магнитоотражения и статического магнитосопротивле-ния отражена в теории магниторефрактивного эффекта (МРЭ), развитой для манганитов с КМС [6], согласно ко-торой при нормальном падении света в первом прибли-жении R/R определяется через ρ/ρ выражением (1) и должно иметь максимум при условии ωτ ≤ 1 [24].…”

“…Были установлены физические механизмы, ответственные за эти эффекты в манганитах в области видимого и инфракрасного (ИК) излучения, и определены условия достижения максимальной величи-ны эффектов (см. обзор [6] и ссылки в нем). Показано, что на величину и спектральную зависимость магни-тоотражения может влиять поверхностная и объемная дефектность монокристаллов, пленок и тонкопленоч-ных структур, а также интерфейсные и резонансные эффекты [6].…”

“…обзор [6] и ссылки в нем). Показано, что на величину и спектральную зависимость магни-тоотражения может влиять поверхностная и объемная дефектность монокристаллов, пленок и тонкопленоч-ных структур, а также интерфейсные и резонансные эффекты [6].…”

Особенности магниторефрактивного эффекта в многослойной металлической наноструктуре [CoFe/Cu]-=SUB=-n-=/SUB=--=SUP=-*-=/SUP=-

“…Оптический отклик наиболее ярко проявился в области взаимодей-ствия света с носителями заряда при частотах ω ≤ ω p (ω p -плазменная частота), т. е. для металлов и магнит-ных полупроводников -в инфракрасной (ИК) области спектра (например, [5][6][7] и ссылки в них). Появление экспериментальных результатов позволило разработать теорию магниторефрактивного эффекта (МРЭ), преиму-щественно в области ωτ < 1 (τ -время релаксации), для металлов [5,9], гранулированных и нанокомпозит-ных металлических структур [10,11], тонкопленочных наноструктур с ГМС [12] и манганитов с КМС [13]. Важным фактом является то, что согласно экспери-ментальным данным и теоретическим оценкам МРЭ на * Доклад на XX Международном симпозиуме " Нанофизика и нано-электроника", Н. Новгород, 13−16 марта 2017 г.…”