Mathematical modelling of heating of homogeneous metal targets with a focused electron beam

О Корректности Математических Моделей Диффузии, Обусловленной Остро Сфокусированным Электронным Зондом В Однородном Полупроводниковом Материале

“…0,5 мкм для легких полупроводниковых мишеней, например, кремния, не более 0,1 мкм для полупроводников со средними атомными номерами, например, для арсенида галлия, и не более 0,03 мкм для тяжелых полупроводников, например, теллурида кадмия (см. [3][4][5]16]. В большинстве вышеуказанных работ при моделировании процесса потерь энергии первичными электронами при их взаимодействии с конденсированным веществом использовалась модель, описывающая плотность потерь энергии в мишени ρ * (M ) (а, следовательно, и распределение генерированных частиц) в виде двумерного нормального распределения Гаусса.…”