2013
DOI: 10.3788/aos201333.0612010
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Measurement Error Analysis for Mueller Matrix Based on a Single Photo-Elastic Modulator

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“…20 世 纪 末 以 来 , 微 处 理 器 和 动 态 随 机 存 取 存 储 器 (DRAM)特 征 尺 寸 的 缩 减 呈 现 了 加 速 和 偏 离 摩 尔 定 律 的 趋 势 , 加 速 了 光 刻 机 的 变 革 步 伐 [1] 。 光 刻 机 从 65 nm 节 点 分 辨 力 的 193 干 式 光 刻 发 展 到 32 nm 节 点 的 193 浸没式光刻。随着极紫外(EUV)光刻时代的来临, 光刻的分辨力将提升至 22 nm 节点。根据瑞利衍射定理, 分辨力的提高可通过增大光刻数值孔径和缩短曝光波长实现。分辨力的提高是以牺牲焦深为代价, 同时受 其他因素的影响, 如硅片工艺热处理、 衬底的地形、 硅片受真空吸附力、 工件台步进误差等, 有效的调焦焦深 大幅缩小。因此为保证曝光线条质量和电路的成品率, 需进行纳米级的高精度实时检焦 [2] 。 在 检 焦 精 度 需 求 较 低 的 情 况 下 , 一 般 采 用 CCD 光 度 检 测 方 法 , 可 以 满 足 亚 微 米 量 级 精 度 。 针 对 纳 米 量 级的焦面检测, 有激光干涉检焦技术 [3][4] 、 泰伯效应的叠栅条纹法 [5] 以及光弹调制法 [6][7][8] 。激光干涉检焦技术不 [9][10][11][12][13]…”
Section: 引 言unclassified
“…20 世 纪 末 以 来 , 微 处 理 器 和 动 态 随 机 存 取 存 储 器 (DRAM)特 征 尺 寸 的 缩 减 呈 现 了 加 速 和 偏 离 摩 尔 定 律 的 趋 势 , 加 速 了 光 刻 机 的 变 革 步 伐 [1] 。 光 刻 机 从 65 nm 节 点 分 辨 力 的 193 干 式 光 刻 发 展 到 32 nm 节 点 的 193 浸没式光刻。随着极紫外(EUV)光刻时代的来临, 光刻的分辨力将提升至 22 nm 节点。根据瑞利衍射定理, 分辨力的提高可通过增大光刻数值孔径和缩短曝光波长实现。分辨力的提高是以牺牲焦深为代价, 同时受 其他因素的影响, 如硅片工艺热处理、 衬底的地形、 硅片受真空吸附力、 工件台步进误差等, 有效的调焦焦深 大幅缩小。因此为保证曝光线条质量和电路的成品率, 需进行纳米级的高精度实时检焦 [2] 。 在 检 焦 精 度 需 求 较 低 的 情 况 下 , 一 般 采 用 CCD 光 度 检 测 方 法 , 可 以 满 足 亚 微 米 量 级 精 度 。 针 对 纳 米 量 级的焦面检测, 有激光干涉检焦技术 [3][4] 、 泰伯效应的叠栅条纹法 [5] 以及光弹调制法 [6][7][8] 。激光干涉检焦技术不 [9][10][11][12][13]…”
Section: 引 言unclassified
“…Thin film technology continues to develop in the application of semiconductors and optical devices, and accurate and rapid acquisition of film thickness d has become an important direction of thin film research 1,8 .Thin film thickness d is an important parameter, which determines the optical and electrical properties of thin films. The measurement methods of film thickness are generally divided into non-optical methods and optical methods.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%