Lfg. 380 DK 621.375:621.317 Die Tendenz, auf die wir bereits im vorhergehenden Bericht (Z 630-F 4 1965) hingewiesen, daß Meßverstärker zusammen mit Meßfühlern zu Transmittern in der Betriebsmeßtechnik vereinigt werden, wird immer deutlicher. Datenverarbeitungsanlagen und Prozeßrechner verlangen Einheitssignale die praktisch nur durch diese Kombination von Meßfühler und Meßverstärker erreicht werden können. Doch auch unabhängig von großen Datenverarbeitungsanlagen werden Meßverstärker verwendet, um Signale verschiedener Meßfühler rechnerisch zu verknüpfen, bevor sie auf Registrier-oder Regelgeräte gegeben werden. Dieser Tendenz kommen entgegen die wachsende Zuverlässigkeit der Halbleiterschaltungen, die in Gestalt der integrierten Schaltkreise weiter erhöht wird, sowie die stetig sinkende Tendenz der Preise dieser Elemente.Der Begriff des Operationsverstärkers als eigenständiges Element bildet sich heraus. Es ist dies ein Gleichstromverstärker, der außerordentlich flexibel eingesetzt werden kann. So war denn in den vergangenen beiden Jahren wieder eine große Anzahl von Veröffentlichungen auf dem Gebiet der Meßverstärker insbesondere der der Gleichstromverstärker zu finden.
Bauelemente
DerFeldeffekttransistor tritt immer mehr in den Vordergrund. Die Eigenschaften verschiedener Feldeffekttransistortypen werden in [1] betrachtet. Bergtold [2] stellt die Vorteile von Feldeffekttransistoren gegenüber anderen Transistoren heraus. Die üblichen Schaltzeichen der FET's werden zusammengestellt. MOS-FET lassen sich relativ einfach durch Aufdampfen auf verschiedenste Grundmaterialien herstellen. Die Arbeitsweise, Technologie und Eigenschaften solcher Elemente werden in [3] untersucht. -Blaser und Macdougall geben einen Überblick über verschiedene Schaltungen mit FET's [4]. -Integrierte Schaltkreise in Gestalt kompletter Gleichstromverstärker auf einem einzigen Siliziumblättchen gewinnen an Interesse. In [5] werden die Vor-und Nachteile solcher monolythischer Gleichstromverstärker besprochen. -In Anlagen mit sehr vielen elektronischen Bauteilen, ζ. B. Rechenanlagen, ist die Mikroelektronik wegen der hohen Zuverlässigkeit eine unbedingte Voraussetzung [6]. -Der Aufbau, die Schaltung, und die Anwendung eines monolythischen DifFerenzverstärkers wird ausführlich beschrieben. Verstärkung 2600, Drift 5 μν/grd [7]. -In [8] werden typische Anwendungsfälle von MOS-FET's in integrierten Kreisen und der Aufbau von Schaltungen damit besprochen. 2. Gleichstromverstärker Die integrierten Schaltkreise sorgen für einen fließenden Übergang von den einzelnen Bauelementen zu kompletten Gleichstromverstärkern in heterogener Bauweise. Preisgründe und die Tatsache, daß integrierte Verstärker nicht alle Eigen-schaften eines Gleichstromverstärkers, insbesondere nicht extreme Werte, erreichen sind dafür verantwortlich, daß in der überwiegenden Mehrzahl heute noch diskrete Bauelemente zum Aufbau von Verstärkern verwendet werden. Bei der Erlangung kleiner Driften halten die Modulaturverstärker nach wie vor die Spitze. Günstige Drifteigenschaften zeigt e...
