Metal contamination monitoring and gettering

Molybdenum Contamination in Indium and Boron Implantation Processes

“…In p-type silicon, the injection level is defined as δn/p 0 , where δn is the minority carrier excess and p 0 is the equilibrium majority carrier concentration. In previous works (12) it was shown that data of lifetime vs. injection level can be used for the identification of contaminants. Indeed, according to the Shockley-Read-Hall theory, the dependence of recombination lifetime τ on the injection level is uniquely determined by the properties (energy levels and capture cross sections) of the dominant recombination centers.…”

Czochralskis schöpferischer Fehlgriff: ein Meilenstein auf dem Weg in die Gigabit‐Ära

“…[75] Elektrisch inaktive Sauerstoffausscheidungen mit höherer Sauerstoffkonzentration als die thermischen Donoren (Abbildung 15) können vorteilhaft sein, weil sie Verunreinigungen durch schnell diffundierende Übergangsmetallatome wie Eisen, Kupfer und Nickel unschädlich machen, die bei einigen Mikrochip-Anwendungen noch in äußerst niedrigen Konzentrationen (10 11 Atome pro cm 3 ) stören. [76] Das entspricht für Silicium mit 5 10 22 Siliciumatomen pro cm 3 einem Eisengehalt von 2 10 À10 Atom-% oder 2 ppta (1 ppt = Abbildung 16. Anordnungen von fünf durch Sauerstoff erzeugten Defekten in CZ-Silicium (Ergebnisse von DFT-Modellrechnungen).…”

Impact of metal–oxide gate dielectric on minority carrier lifetime in silicon

“…Several techniques have been used to measure lifetime. [3][4][5][6] The technique used for the experiments in this letter is ELYMAT™. Carrier lifetime measurements are sensitive to contamination at the anticipated levels, usually in the parts per trillion range.…”