Millimeter-Wave Donor–Acceptor-Doped DpHEMT

Всплеск Дрейфовой Скорости Электронов В Гетероструктурах С Двусторонним Донорно-Акцепторным Легированием И Цифровыми Барьерами

“…Кроме того, с увеличением поверхностной плотности доноров в δ-слое увеличивается рассеяние электронов в канале и падает их подвижность. Однако, как отмечалось выше, в гетероструктуре вместо однородных материалов можно использовать короткопериодные AlAs/GaAsсверхрешетки, состоящие из тонких (два-шесть монослоев) слоев [16][17][18]. Разрыв в зоне проводимости на гетерограницах между InGaAs-каналом и AlAs/GaAsсверхрешеткой будет, очевидно, больше, чем разрыв на гетерогранице InGaAs-канала и однородного AlGaAs твердого раствора с составом, близким к усредненному составу сверхрешетки.…”

“…По аналогии с двоичным цифровым кодом такие барьеры часто называют цифровыми. Гетероструктуры с такими барьерами позволили получить транзисторы с очень высоким усилением [18].…”

The electrons drift velocity overshot in inverted transistor heterostructures with donor-acceptor doping and additional digital potential barriers

“…In principle, the calculations performed provide an answer to the main question of study [15] on what is the source of excess amplification in the transistors based on the earlier developed DA-DpHEMT heterostructure as compared with the previously obtained estimates. Taking into account the results of [15] and above−presented calculations, simple estimates show that, when the transistor gate is shrunk to 0.05 µm, optimization of the inverted structures with DA doping and additional digital barriers may enable the transistors to work at frequencies of up to 300 GHz with retaining quite high specific powers that are several times higher than those of modern transistors with the In x Ga 1−x As−based channels with high mole content of In.…”

Двухканальная Гетероструктура С Дополнительными Цифровыми Потенциальными Барьерами Для Мощных Полевых Транзисторов

“…Однако гетероструктуры на основе арсенида галлия имеют большие возможности для модернизации. Конкретным примером могут служить гетероструктуры с донорно-акцепторным легированием DA-DpHEMT [6], позволившие поднять удельные мощности промышленных приборов на уровень более 1.5 W/mm и двукратно увеличить коэффициент усиления, а также гетероструктуры с донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами Q-DpHEMT [7], позволившие дополнительно почти вдвое увеличить коэффициент усиления транзисторов на их основе. Тем не менее поверхностную плотность электронов с высокой подвижностью в канале таких гетероструктур нельзя сильно увеличивать, так как уровень Ферми в этом случае может оказаться сравним с высотой верхних долин в GaAs.…”

“…[6,7,9] спроектирована двухканальная гетероструктура (Q-DCpHEMT), зонная диаграмма которой приведена на рис. 1, в которой благодаря введению в конструкцию гетероструктуры цифровых потенциальных барьеров существенно снижено влияние поперечного пространственного переноса электронов на динамику горячих электронов.…”