Modeling of Enhancement-Mode GaN-GIT for High-Power and High-Temperature Application

Optimisation du comportement thermique du transistor à haute mobilité d’électron (HEMT) par la méthode KA-CMA-ES

“…Les propriétés de ces matériaux ainsi que les caractéristiques du HEMT sont en fonction de la température du fonctionnement. La conductivité thermique, la mobilité des élections, la vitesse de saturation et autres propriétés ont tendance à se dégrader avec l'augmentation de la température du fonctionnement du transistor, cette température peut atteindre des valeurs critiques à cause de phénomène de l'autoéchauffement [6], [20]. On constate que l'élévation de la température influence la fiabilité et la performance du HEMT, d'où la nécessité de chercher à diminuer cette température pour augmenter la fiabilité.…”

“…Par suite, les images des individus générés par échantillonnage sont évaluées par la fonction objectif, les meilleurs individus seront regroupés dans le vecteur moyen m, il a comme expression : Après la mise à jour du vecteur moyen m, l'étape suivante est l'adaptation de pas σ et la matrice de covariance C.la mise à jour des deux paramètres se fait par deux chemins d'évolution pc et p σ [24]. Cependant, la suite du processus de la méthode CMA-ES nécessite d'actualiser le chemin d'évolution p σ permettant de mettre à jour la taille du pas σ, les deux paramètres se calculent suivant les équations suivantes : [6] [7]…”

“…En plus, la température de fonctionnement est un facteur très important, elle influence la fiabilité du HEMT, car la plupart de ses caractéristiques telle que la mobilité des électrons, la conductivité thermique, la vitesse de saturation et autres sont en fonction de la température [5]. Toutes ces caractéristiques ont tendance à se dégrader avec l'élévation de la température à cause de phénomène de l'auto-échauffement du transistor [6]. Par conséquent ça donne naissance à des dégradations comme l'enterrement de la grille, endommagement de la connexion entre la puce et le boitier, la dégradation de la mobilité des électrons et la réduction de courant [7].…”

Single and double‐gate based AlGaN/GaN MOS‐HEMTs for the design of low‐noise amplifiers: a comparative study

“…In order to utilise the proposed device in circuit design, different analytical modelling techniques are available in various literature [22, 23]. However, the main limitations of these models are that these models cannot be best utilised for circuit design as these are more complex, technology dependence and physical property of the material.…”

Modeling of gallium nitride transistors for high power and high temperature applications

“…Table 4.1 lists all the major parameters used in this model [76]. The principle of operation of the GaN HEMT device depends on the formation of the 2DEG channel layer and modeling of this 2DEG carrier density forms the foundation of the analytical model of the device.…”