2016 IEEE 36th International Conference on Electronics and Nanotechnology (ELNANO) 2016
DOI: 10.1109/elnano.2016.7493031
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Modification of materials surface layers by low-energy ion irradiation in glow discharge

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1
1
1

Citation Types

0
2
0
3

Year Published

2017
2017
2021
2021

Publication Types

Select...
5
3

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 12 publications
(5 citation statements)
references
References 3 publications
0
2
0
3
Order By: Relevance
“…Copper details with dimensions 10×8×4 mm 3 and copper and nickel samples with dimensions 12×7×3 mm 3 have been used for investigations. On the copper surface, the chromium layer by 3 mm thickness had been deposited by ion-plasmic method using technique defined at [5]. Then all copper details with chromium layer, except basic, had been subjected to treatment by argon ions for making antidiffusive barrier layer.…”
Section: Experimental Methodologymentioning
confidence: 99%
See 1 more Smart Citation
“…Copper details with dimensions 10×8×4 mm 3 and copper and nickel samples with dimensions 12×7×3 mm 3 have been used for investigations. On the copper surface, the chromium layer by 3 mm thickness had been deposited by ion-plasmic method using technique defined at [5]. Then all copper details with chromium layer, except basic, had been subjected to treatment by argon ions for making antidiffusive barrier layer.…”
Section: Experimental Methodologymentioning
confidence: 99%
“…It is possible to solve this problem by creation of antidiffusive layer on the surface of conductor using the effect of penetration of metal atoms from the surface deep into macroscopic distances of substrate under low temperature (up to 473 K) in conditions of ion bombardment in glow discharge [5]. At work [6] it has been determined, that the most optimal material for barrier layer can be chrome whereas copper with chrome has significantly limited solubility, and chemical-resistant chrome oxide in the transition zone additionally intensify blocking effect.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Відомо, що з усіх різновидів тліючого розряду найбільш стабільним і добре регульованим у широких межах є нормальний тліючий розряд, що горить за порівняно невисоких напруг на електродах (200 -1000 В) і відносно невисоких щільностей струму (0,01 -1,0 А/см 2 ). Тому саме він набув найбільш широкого використання як джерело поверхневого нагріву в процесах дифузійного зварювання і паяння тонкостінних конструкцій [1]. Однак на практиці можливе виникнення найрізноманітніших умов, які можуть викликати не тільки зміни в різновиді форми тліючого розряду, а і його перехід в електричну дугу як найбільш стійку форму газового розряду, що характеризується зниженою напруженістю електричного поля.…”
Section: вступunclassified
“…2. Статична вольт-амперна характеристика газових розрядів (а), отримання падаючої зовнішньої характеристики джерела живлення тліючого розряду (б) У зв'язку з цим в ряді робіт [1,2], присвячених вивченню проблеми стійкості тліючого розряду, розглядається питання визначення оптимальної величини цього опору, необхідної і достатньої для забезпечення стабільності розряду, оскільки надмірно завищена величина цього опору, забезпечуючи підвищення стійкості розряду, знижує енергетичні показники процесу нагріву внаслідок зростання втрат потужності на ньому, а недостатня величина опору не забезпечує стійкості розряду на заданому режимі. Однак, результати цих робіт не можуть бути однозначно перенесені на розряд в умовах зварювання, оскільки вони отримані для істотно інших режимів і умов тліючого розряду, зокрема, для лазерної плазми і носять скоріше напівкількісний характер.…”
Section: вступunclassified
“…1. Схема джерела живлення тліючого розряду: Ат -автотрансформатор; Т1 -трансформатор; VD1 -випрямляч; Rb -активний (баластний) опір (1) У припущенні, що іонізація розвивається в однорідних умовах, тобто з постійною частотою, швидкість народження електронів або швидкість іонізації визначається як [4]: (2) де K i -константа швидкості іонізації; N -об'ємна щільність нейтральних частинок (атомів) газу; n e -кількість електронів в одиниці об'єму розрядної плазми.…”
Section: виклад основного матеріалу дослідженьunclassified