Modification of phonon distribution in degenerate semiconductors by high electric fields: Effect on transport coefficients

Abstract

Drift mobility, Hall mobility, and Hall coefficient of a degenerate semiconductor a t very low temperatures and high electric fields are calculated. Following Paranjape's approach the modified distribution of phonons are taken into account in the calculation of the transport coefficients for arbitrary degeneracy of simple model semiconductors. The electron scattering due to ionized impurities as well as due to acoustic phonons have been considered. The calculations show that the inclusion of the modified phonon distribution in the theory reduces the theoretical values of drift and Hall mobilities of degenerate semiconductors by a factor of two or more; its effect on Hall coefficients is t o decrease the theoretical value slightly (20%).Die Driftgeschwindigkeit, Hallbeweglichkeit und der Hallkoeffizient eines entarteten Halbleiters werden bei sehr niedrigen Temperaturen und hohen elektrischen Feldern berechnet. Der Behandlung von Paranjape folgend, werden die modifizierten Phononenverteilungen bei der Berechnung der Transportkoeffizienten fur beliebige Entartung eines simplen Modellhalbleiters beriicksichtigt. Dabei wird sowohl Elektronenstreuung durch ionisierte Storstellen als auch durch akustische Phononen angenommen. Die Rechnungen zeigen, daB die Einbeziehung der modifizierten Phononenverteilung in die Theorie die theoretischen Werte der Drift-und Hallbeweglichkeiten von entarteten Halbleitern um einen Faktor von zwei oder mehr reduziert, wobei sich auch der theoretische Wert des Hallkoeffizienten leicht (20%) verringert.