Развитие современной микроэлектроники сопровождается развитием различных методов
характеризации технологических процессов как in-situ так и ex-situ. В данной работе показаны
несколько примеров мониторинга процессов получения различных тонких пленок. Интерес к
алмазоподобным пленкам (DLC) обусловлен их уникальными физическими и химическими
свойствами: они используются как защитные покрытия в инфракрасной оптике, для солнечных
элементов, медицинского инструмента, графеновых
нанотранзисторов. Свойства DLC пленок, полученных в МГД
реакторе в сверхзвуковом потоке углеводородной плазмы [1, 2],
исследованы в зависимости от состава реакционной смеси,
температуры подложки и от положения в реакторе. Показан и другой пример мониторинга
гетерогенности пленки оксида ванадия по толщине, т.е. пленки
разной толщины, полученные в одном и том же технологическом
процессе, обладают разными оптическими параметрами [3].
Эллипсометрия решает задачу оптимизации времени окисления
при фиксированной температуре процесса для получения пленок,
состав которых ближе всего к двуокиси ванадия VO2. Поскольку
фазовый переход 1 рода в VO2 сопровождается скачкообразным
изменением кристаллической решетки, следовательно, и фазовым скачком коэффициента
преломления, то максимальное изменение Δ будет соответствовать максимальному содержанию
двуокиси ванадия в полиморфной пленке оксида. Таким образом, можно оптимизировать
технологический процесс по заданному параметру.