“…The output power reached 0.34 W at 2047-2074 nm with η = 46.7% and a laser threshold of 205 mW. Such a long wavelength emission is ascribed to the electron-phonon coupling with the lowenergy Raman modes of the KY(MoO 4 ) 2 lattice [24,25].…”
We report on the crystal growth, spectroscopy and first laser operation of a novel double molybdate compound -Tm:KY(MoO 4 ) 2 . This orthorhombic (sp. gr. Pbna) crystal exhibits strong anisotropy of the spectroscopic properties due to its layered structure. The maximum stimulated emission cross-section for the 3 F 4 → 3 H 6 transition is 2.70×10 -20 cm 2 at 1856 nm with a bandwidth of >110 nm (for E || b). The lifetime of the 3 F 4 state is 2.29 ms. Crystalline films and plates (thickness down to 70 μm) of high optical quality are obtained by mechanical cleavage along the (100) plane. Continuous-wave diode-pumped laser operation is achieved in such thin films and plates yielding a maximum output power of 0.88 W at ~1.9 μm with a slope efficiency of 65.8% and a linearly polarized laser output. Vibronic lasing is demonstrated at ~2.06 μm. Tm:KY(MoO 4 ) 2 is promising for microchip and thin-disk lasers.
“…The output power reached 0.34 W at 2047-2074 nm with η = 46.7% and a laser threshold of 205 mW. Such a long wavelength emission is ascribed to the electron-phonon coupling with the lowenergy Raman modes of the KY(MoO 4 ) 2 lattice [24,25].…”
We report on the crystal growth, spectroscopy and first laser operation of a novel double molybdate compound -Tm:KY(MoO 4 ) 2 . This orthorhombic (sp. gr. Pbna) crystal exhibits strong anisotropy of the spectroscopic properties due to its layered structure. The maximum stimulated emission cross-section for the 3 F 4 → 3 H 6 transition is 2.70×10 -20 cm 2 at 1856 nm with a bandwidth of >110 nm (for E || b). The lifetime of the 3 F 4 state is 2.29 ms. Crystalline films and plates (thickness down to 70 μm) of high optical quality are obtained by mechanical cleavage along the (100) plane. Continuous-wave diode-pumped laser operation is achieved in such thin films and plates yielding a maximum output power of 0.88 W at ~1.9 μm with a slope efficiency of 65.8% and a linearly polarized laser output. Vibronic lasing is demonstrated at ~2.06 μm. Tm:KY(MoO 4 ) 2 is promising for microchip and thin-disk lasers.
“…Levando em consideração a importância e a influência dos diversos métodos de síntese para a obtenção do MgWO 4 , buscou-se identificar os principais métodos relatados na literatura e abordar suas características. Dentre os 21 artigos selecionados, no período de janeiro de 2009 a janeiro de 2020, foram identificados cinco principais métodos de síntese para pós-cerâmicos e cristais de MgWO 4 , sendo eles: Reação em estado sólido (KIM et al 2011;JAYAPRAKASH e KRISHNAKUMAR, 2019;BHUYAN et al 2017;CHAI et al 2016;DEY et al 2014;GUO et al 2012;GUO et al 2015;HAN et al 2015; SARASWATHY, RAO e THARA, 2018), crescimento de cristais pelo método de solução (DANEVICH et al 2009;KRUTYAK et al 2016;LOIKO et al 2018;NAGORNAYA, et al 2009;RUIZ-FUERTES et al 2011;ZHANG et al 2015;, hidrotérmico convencional (HUANG et al 2018;MENG et al 2019;LI, YANG e MENG, 2009), sol-gel (HE e WANG, 2013) e precursores poliméricos (GOUVEIA et al 2020). A Fig.…”
Section: Métodos De Síntese Para Pós-cerâmicos E Cristais De Mgwounclassified
“…A síntese do MgWO 4 por crescimento de cristais pelo método de solução é bastante aplicada na literatura, sendo esta, utilizada em 7 artigos dos selecionados (DANEVICH et al 2009;KRUTYAK et al 2016;LOIKO et al 2018;NAGORNAYA, et al 2009;RUIZ-FUERTES et al 2011;ZHANG et al 2015;. Tal método baseia-se em três principais técnicas, sendo elas: as técnicas em altas e baixas temperaturas, técnica…”
Section: Crescimento De Cristais Pelo Método De Solução (Ccms)unclassified
“…As técnicas de crescimento de cristais de MgWO 4 utilizadas nos artigos selecionados são de fluxo de crescimento por fusão (DANEVICH et al 2009;KRUTYAK et al 2016;NAGORNAYA, et al 2009;RUIZ-FUERTES et al 2011) e a TSSG (LOIKO et al 2018;ZHANG et al 2015;. Na primeira técnica são dissolvidos os reagentes MgO e WO 3 que se pretende cristalizar (soluto) em um composto fundido de Na 2 WO 4 (fluxo) em alta temperatura para crescimento sobre a semente inicial do cristal, que atua como solvente e se evapora durante o processo em alta temperatura, aumentando a concentração de soluto na solução, que então se precipita e cristaliza.…”
Section: Crescimento De Cristais Pelo Método De Solução (Ccms)unclassified
Direitos para esta edição cedidos à Atena Editora pelos autores. Todo o conteúdo deste livro está licenciado sob uma Licença de Atribuição Creative Commons. Atribuição-Não-Comercial-NãoDerivativos 4.0 Internacional (CC BY-NC-ND 4.0).O conteúdo dos artigos e seus dados em sua forma, correção e confiabilidade são de responsabilidade exclusiva dos autores, inclusive não representam necessariamente a posição oficial da Atena Editora. Permitido o download da obra e o compartilhamento desde que sejam atribuídos créditos aos autores, mas sem a possibilidade de alterá-la de nenhuma forma ou utilizá-la para fins comerciais. Todos os manuscritos foram previamente submetidos à avaliação cega pelos pares, membros do Conselho Editorial desta Editora, tendo sido aprovados para a publicação com base em critérios de neutralidade e imparcialidade acadêmica.A Atena Editora é comprometida em garantir a integridade editorial em todas as etapas do processo de publicação, evitando plágio, dados ou resultados fraudulentos e impedindo que interesses financeiros comprometam os padrões éticos da publicação. Situações suspeitas de má conduta científica serão investigadas sob o mais alto padrão de rigor acadêmico e ético.
“…Low-loss fs-laser-written surface waveguide lasers at >2 µm in monoclinic Tm 3+ :MgWO 4 3 V L , 1,4 J M S , 1,4 M A , 1 F D , 1 L Z , 5 Z L , 5 H L , 5 G Z , 5 V Z , 6 A V , 6 V P , 7 U G , 7 X M , 1, * L W , 7 AND W C 5,7…”
Surface channel waveguides (WGs) based on a half-ring (40–60-µm-diameter) depressed-index cladding (type III) geometry are fabricated in monoclinic
Tm
3
+
:
MgWO
4
by femtosecond (fs) laser writing at a repetition rate of 1 kHz. The WGs are characterized by confocal laser microscopy and
μ
-Raman spectroscopy. A
Tm
3
+
:
MgWO
4
WG laser generates 320 mW at
∼
2.02
µ
m
with a slope efficiency of 64.4%. The WG emits a transverse single-mode and linear polarization (
E
|
|
N
m
). A remarkable low loss of
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