“…С другой стороны, основным недостатком текущего поколения майорановских нанопроводов на основе систем InAs/Al является большое значение приложенного магнитного поля для перехода в топологическую фазу (H ∼ 1 T), которое, вообще говоря, сравнимо с критическим магнитным полем разрушения сверхпроводимости в оболочке [11][12][13][14]. Недавние работы [20][21][22] посвящены снятию данного ограничения. В частности, в работе [20] было предложено, что в полупроводниковых нанопроводах, полностью покрытых сверхпроводящей оболочкой, Принимая во внимание все вышесказанное, можно отметить, что исследование влияния аккумуляционного слоя на спектральные свойства полностью покрытых нанопроводов представляет интерес как в контексте их возможного использования для реализации майорановских мод, так и для объяснения недавних экспериментов [21].…”