Nachweis von Stapelfehlern in GaN‐Epitaxieschichten mittels Elektronenbeugung

Brühl

Fitzl

1980

Phys. Stat. Sol. (a)

Self Cite

on the occasion of his 75th birthday Lattice parameters are measured for GaN samples, grown at different growth temperatures (800 t o 1130 "C) and in different carrier gases (He, HJ. An increase in c and a slight decrease in a with increasing growth rate is found, whereas the growth temperature seems t o be of no direct effect. It appears that for a n interpretation of the large variation in the lattice parameters in GaN stoichiometry effects are of less importance than lattice defects and foreign impurities.Die Gitterparameter von GaN, geziichtet bei unterschiedlichen Wachstumstemperaturen (800 bis 1130 "C) und in unterschiedlichen Tragergasen (He, H2), werden gemessen. Gefunden wird ein Anstieg in c und ein leichter Abfall in a mit xunehmender Wachstumsrate, wiihrend die Wachstumstemperatur keinen direkten EinfluB zu haben scheint. Vermutlich sind zur Interpretation der groBen Streuung in den Gitterparametern von GaN Stochiometrieeffekte von geringerer Bedeutuw als Gitterdefekte und Verunreinigiingen durch Fremdatome.

Section: E-mentioning

confidence: 99%

Variation of lattice parameters with growth conditions in GaN

Brühl

Fitzl

1980

Phys. Stat. Sol. (a)

Self Cite

Zur Epitaxie von Galliumnitrid auf nichtstöchiometrischem Spinell im System GaCl/NH₃/He

Tempel

Hammer

et al. 1975

Cryst Res and Technol

The crystalline perfection and the epitaxial relationships of GaN layers prepared by the reaction of GaCl and NH, in He carrier gas on { 11 1 } and { 100) spinel substrates have been determined by RHEED measurements. The epitaxial relationships were found to be The best crystalline perfection could be achieved a t growth temperatures of 1000.*.1050 "C and growth rates more than 1 pm/min. -The growth direction ( l o l l ) has been found t o be more suitable for rapid growth than the direction (0001).

Untersuchung von GaN‐Epitaxieschichten mit ionometrischen Methoden

Flagmeyer

Geist

1976

Cryst Res and Technol

Die Qualitiit von 2 bis 11 pm dicken {OOOl} GaN-EpiLaxieschichten auf Spinell-und Korundsubstrat wurde rnit Kanalisierungs-und Schatteneffektmessungen untersucht. Aus den Protonen-Ruckstreuspektren (Encrgie E , = 1 MeV) ergibt sich, daB die Perfektion der auf Korund gewachsenen GaN-Schichten wcsentlich hoher als der auf Spinell geziichteten ist. Wie fur die Kombination GaN/Spinell gezeigt werden konnte, nimmt die Defektkonzentration rnit wachsendcr Schichtdicke rtb. Die aufgenommenen Protonogramme liefern zusiitzliche Aussagen zur Perfektion und Kristallstruktur der Schichten.Tho crystalline quality of epitaxial { 0001 } GaN lrtyem of thickness between 2 and 11 pm on spinel or sapphire substrates has been investigated using proton channeling and blocking. Backscattering spectra of 1 MeV-protons indicate that the perfection of thc GaN layers for GaN/sapphiro is essential higher than for GaN/spinel. It has been shown that for GaN on spinel tho density of imperfections decreascs with increasing layer thickness. Blocking patterns give additional informations on perfection and crystal structure of the layers.