Negative differential conductance in doped-silicon nanoscale devices with superconducting electrodes

Shapovalov, A. P.; Shaternik, V.E.; Suvorov, Olexandr; Zhitlukhina, Elena; Belogolovskii, Mikhail

doi:10.1007/s13204-018-0687-y

Cited by 3 publications

(1 citation statement)

References 23 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Предложена теоретическая модель, которая позволяет объяснить возникновение эффекта отрицательной дифференциальной проводимости в сложных гетероструктурах с проводящими электродами, разделёнными изолирующей прослойкой с наноразмерными металлическими гранулами (см. эксперименты [2,3,10]). Согласно нашей модели в такой прослойке имеют место квантово-перколяционные траектории с зависящей от поданного напряжения вероятностью электронного перехода из одной обкладки в другую.…”

Section: выводыunclassified

Negative $N$-Type Differential Resistance in Current–Voltage Characteristics of Metal Heterostructures

Shamaev¹,

Zhitlukhina²

2018

Metallofiz. Noveishie Tekhnol.

View full text Add to dashboard Cite

Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедрёнными в неё примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток.

show abstract

Section: выводыunclassified