New insights into the oxidation rate and formation of porous structures on silicon

Benor, Amare

doi:10.1016/j.mseb.2017.11.015

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 26 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…Nanostructured semiconductors are of interest [1,2] due to the possibility of their application in photonics and microelectronics [3,4]. Thin films [5], nanowhiskers [6], quantum spots [7], nanograins [8], etc.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Forming the lowporous layers of indium phosphide with the predefined quality level

Vambol

Богданов

Vambol

et al. 2018

EEJET

View full text Add to dashboard Cite

Для можливості формування наноструктурованих шарів на поверхні напівпровідників із регульованими властивостями розроблено морфологічний критерій якості. Отримано шари низькопоруватого фосфіду індію з мезопоруватою структурою. Поруваті шари формувалися методом електрохімічного травлення у розчині соляної кислоти при постійній щільності струму. За розробленим критерієм проаналізовано якість синтезованих зразків por-InP. Це дозволить виготовляти структури з поруватими шарами на поверхні у промислових масштабах. Представлений критерій може бути застосованим для інших режимів обробки фосфіду індію, або для інших напівпровідників. Це дозволяє розглядати його як універсальний морфологічний критерій якості поруватих структур. Встановлено кореляцію між морфологічними властивостями поруватих структур на поверхні фосфіду індію та умовами травлення. Для цього було проаналізовано поруваті структури, які формувалися у інтервалі часу травлення від 10 до 20 хв при різній концентрації кислоти у електроліті. У результаті встановлено, що форма пор наноструктурованих шарів на поверхні напівпровідників залежить не лише від параметрів кристалу, а й від умов травлення, зокрема від часу травлення та складу електроліту. Застосування насичених електролітів призводить до формування масивних пор, які мають форму канавок -витягнуті еліпси. Отримані кореляції є корисними з практичної точки зору, тому що дозволяють обґрунтовано підходити до визначення режимів електрохімічної обробки напівпровідників. Крім того, це відкриває нові перспективи у побудові моделі самоорганізації поруватої структури на поверхні напівпровідників. Представлено методику розрахунку основних статистичних характеристик ряду розподілу пор за розміром, зокрема розмах варіації, дисперсію,середньоквадратичне відхилення, коефіцієнти варіації та асиметрії. Це дозволяє більш детально оцінювати морфологічні показники поруватих структур та просунутися у розумінні механізмів, що лежать в основі пороутворення на поверхні напівпровідників під час електрохімічної обробкиКлючові слова: фосфід індію, електрохімічне травлення, морфологічні показники, поруваті напівпровідники, критерій якості UDC 621.315.592

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Forming the lowporous layers of indium phosphide with the predefined quality level

Vambol

Богданов

Vambol

et al. 2018

EEJET

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Justification of the most rational method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface

Suchikova

Vambol

et al. 2019

Journal of Achievements in Materials and Manufacturing Engineering

View full text Add to dashboard Cite

Purpose: of this paper is to justification the most rational method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface, which is capable of providing high quality synthesized nanostructures at low cost and ease of the process. Design/methodology/approach: The choice of the optimal method of synthesis was carried out using the hierarchy analysis method, which is implemented by decomposing the problem into more simple parts and further processing judgments at each hierarchical level using pair comparisons. Findings: The article describes the main methods of synthesis of nanostructures, presents their advantages and disadvantages. The methods were evaluated by such criteria as: environmental friendliness, efficiency, stages number of the technological process, complexity, resources expenditure and time and effectiveness. Using the hierarchy analysis method, has been established that electrochemical etching is the most important alternative, and when choosing a nanostructures synthesis method on the semiconductors surface, this method should be preferred. Such studies are necessary for industrial serial production of nanostructures and allow reducing expenses at the realization of the problem of synthesis of qualitative samples. Research limitations/implications: In this research, the hierarchy analysis method was used only to select a rational method for synthesizing nanostructures on the semiconductors surface. However, this research needs to be developed with respect to establishing a correlation between the synthesis conditions and the nanostructures acquired properties. Practical implications: First, was been established that the optimal method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface is electrochemical etching, and not lithographic or chemical method. This allowed the theoretical and empirical point of view to justify the choice of the nanostructures synthesis method in the industrial production conditions. Secondly, the presented method can be applied to the synthesis method choice of other nanostructures types, which is necessary in conditions of resources exhaustion and high raw materials cost. Originality/value: In the article, for the first time, the choice of the nanostructures synthesis method on the semiconductors surface is presented using of paired comparisons of criteria and available alternatives. The article will be useful to engineers involved in the nanostructures synthesis, researchers and scientists, as well as students studying in the field of "nanotechnology".

show abstract

New insights into the oxidation rate and formation of porous structures on silicon

Cited by 2 publications

References 26 publications

Forming the lowporous layers of indium phosphide with the predefined quality level

Forming the lowporous layers of indium phosphide with the predefined quality level

Justification of the most rational method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface

Contact Info

Product

Resources

About

New insights into the oxidation rate and formation of porous structures on silicon

Cited by 2 publications

References 26 publications

Forming the low­porous layers of indium phosphide with the predefined quality level

Forming the low­porous layers of indium phosphide with the predefined quality level

Justification of the most rational method for the nanostructures synthesis on the semiconductors surface

Contact Info

Product

Resources

About

Forming the lowporous layers of indium phosphide with the predefined quality level

Forming the lowporous layers of indium phosphide with the predefined quality level