Ni Related Centers in Synthetic Diamond

An ab initio investigation on nickel impurities in diamond

“…Additionally, the calculated acceptor transition energy ð0=ÀÞ of the Ni s is e v þ 3:0 eV; where e v defines the valence band top. This value is in excellent agreement with the experimental data of e v þ 3:0 eV [15,16]. This confirms the proposed microscopic model as a ðNi À s Þ to explain the experimental data of the W8 center [1].…”

Electronic properties of isolated nickel in diamond

“…Using the total energies of the centers in positive and negative charge states, we computed the transition energies. The acceptor transition energy (-/0) of the Ni s is ε v + 2.9 eV, which is in excellent agreement with the experimental data of ε v + 3.0 eV [16,17]. The donor transition energy (0/+) of the Ni i is computed to be ε v + 0.5 eV.…”

Propriedades físicas de impurezas de níquel em diamante

“…Vários estudos ópticos em diamante sintético crescidos por HPHT, utilizando níquel como solvente-catalizador, foram relatados, onde certas transições ópticas associadas a deslocamentos isotópicos das ZPL's (zero phonon lines) em 1,40; 1,88; 2,51 e 3,1 eV [52-56] foram atribuídas à incorporação de impurezas de níquel no cristal. Recentemente, Nazaré et al [5] mostraram que a transição óptica de ZPL em 2,51 eV a baixas temperaturas (4K) ocorre em um defeito com simetria tetraédrica, concluindo que o espectro EPR de Isoya et al [2] e esta transição estão correlacionadas e portanto pertencem ao mesmo defeito (C:Ni − s ), ou seja, o centro W8.ε v é o topo da faixa de valência do diamante[57,58].…”