Optical spectra of highly excited quantum well systems are calculated. Many-body effects are included within the random phase approximation (RPA). In order to describe a realistic semiconductor quantum well system, finite barrier heights, a thickness-dependent Coulomb potential and several subbands are taken into account. Furthermore, for quantum well systems like InP/InGaAs or GaAlAs/GaAs, light and heavy hole subbands are included within an effective mass approximation. The renormalization of the band gaps of the allowed transitions are discussed and compared with experimental data of Lach et al. In the range of very high densities deviations between experiment and theory are found, which are probably due to increased intersubband scattering.Fur hochangeregte Quantumwell-Systeme werden unter Beriicksichtigung von Vielteilcheneffekten im Rahmen der Random-Phase-Approximation (RPA) optische Spektren berechnet. Um eine realistische Beschreibung eines solchen Systems zu erhalten, werden endliche Barrierenhohen, mehrere Subbander sowie ein von der Dicke des Potentialtopfs abhangendes Coulomb-Potential mit einbezogen. Die Bander der leichten und schweren Locher sind in der effektiven Massennaherung berucksichtigt. Vergleiche zwischen berechneten und von Lach et al. gemessenen Bandkantenrenormierungen zeigen fur hohe Dichten Abweichungen, die vermutlich von verstarkten Intersubbandstreuprozessen herriihren.