On the laser lift-off of lightly doped micrometer-thick n-GaN films from substrates via the absorption of IR radiation in sapphire

Voronenkov, V. V.; Virko, M. V.; Kogotkov, V. S.; Leonidov, A. A.; Pinchuk, A. V.; Zubrilov, A. S.; Gorbunov, R. I.; Latishev, F. E.; Bochkareva, N. I.; Lelikov, Yu. S.; Tarkhin, D. V.; Смирнов, А. Н.; Davydov, V. Yu.; Sheremet, Igor A.; Shreter, Yu. G.

doi:10.1134/s1063782617010249

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 12 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…высококачественных слоев нитрида галлия на чужеродных подложках являет собой актуальную задачу [9]. В настоящее время в промышленном производстве сформировались три основных направления изготовления гетероэпитаксиальных структур (ГЭС) на основе нитрида галлия, отличающихся материалом подложки, в качестве которого используются сапфир, карбид кремния и монокристаллический кремний.…”

Section: метрология стандартизация и контрольunclassified

Исследования Островковых Пленок Нитрида Галлия На Сапфировых Подложках Методами Растровой Электронной Микроскопии И Спектральной Эллипсометрии

Дедкова¹,

Nikiforov²,

Mitko³

et al. 2019

Rossijskie nanotehnologii

View full text Add to dashboard Cite

Методами растровой электронной микроскопии (РЭМ) и спектральной эллипсометрии проведены исследования зародышевых слоев нитрида галлия (GaN) субстананометровой толщины, нанесенных при различных режимах в процессе атомно-слоевой эпитаксии (АСЭ) из триэтил галлия и аммиака на сапфировые подложки. Полученные зародышевые слои представляют собой островковые пленки с различной степенью покрытия поверхности подложек, состоящие из кристаллитов GaN, имеющих различные размеры и средние толщины в диапазоне 10–40 нм. Разработана программа обработки РЭМ-изображений, позволяющая проводить количественную оценку площади частиц, включений, фаз, присутствующих в пленках и на поверхности подложек. Показано, что методика обработки спектральных эллипсометрических измерений островковых пленок из кристаллитов GaN на сапфировых подложках по модели Максвелла–Гарнетта выявляет такую же тенденцию в площади покрытия подложек пленками, что и обработка РЭМ-изображений. Разработанные программа и методика позволили определить оптимальный режим АСЭ зародышевых слоев GaN на сапфировых подложках для формирования высококачественных HEMT-структур из шести реализованных режимов. Они могут быть также эффективно использованы при исследовании любых островковых пленок, слоев с включениями физических и химических фаз и систем коллоидных частиц, применяемых в процессе формирования микроэлектронных структур.

show abstract

Section: метрология стандартизация и контрольunclassified