In diesem Artikel wurden auf ungeheizten Gläsern (Quarzglas, Borosilikatglas) und Si‐Wafern HfO2‐Schichten mittels Reaktiven Niederspannungs‐Hochstrom‐Ionenplattieren (RLVIP) hergestellt. Diese wurden hinsichtlich der optischen Eigenschaften (Brechungsindex, Absorptionskoeffizient) und den mechanischen Schichtspannungen untersucht. Hierfür wurden die Prozessparameter Bogenstrom und Sauerstoffpartialdruck variiert. Mit dem Spektralphotometer wurde die Transmission der Schichten vermessen, woraus der Brechungsindex und die Absorptionskante ermittelt wurden. Für die Messung der Absorption wurde die Photothermale Deflektionsspektroskopie eingesetzt und der Absorptionskoeffizient berechnet. Die mechanischen Schichtspannungen wurden aus der Verformung von dünnen Si‐Wafern ermittelt.