Optical anisotropy in the VUV range : experimental studies and dielectric constants of monoclinic GaTe

Abstract

2014 La réflectance de GaTe entre 2,5 et 26 eV, sous incidence normale et oblique, a été mesurée à l'aide d'un rayonnement synchrotron polarisé. Nous en avons déduit 3 indices de réfraction complexes relatifs aux 3 directions cristallographiques, en utilisant une nouvelle méthode de calcul, incorporant les relations de Kramers-Kronig. Il se vérifie que les transitions électroniques dans le domaine des 20 eV, à partir des niveaux 3d Ga, sont fortement localisées près des atomes de gallium. Certaines transitions à partir de la bande de valence apparaissent aussi plus ou moins localisées. Abstract. 2014 Normal and oblique incidence reflectances of GaTe have been measured in the 2.5 to 26 eV range using polarized synchrotron radiation. We have deduced 3 complex refractive indices, relative to 3 different crystallographic directions by means of a new method consistent with the Kramers-Kronig relations. We have verified that the electronic transitions in the 20 eV region, from the 3d Ga levels, are strongly localized near gallium atoms. Some transitions from the valence band also appear localized.