Optical power-driven electron spin relaxation regime crossover in Mn-doped bulk GaAs

Münzhuber, Franz; Kießling, T.; Ossau, W.; Molenkamp, L. W.; Astakhov, G. V.

doi:10.1103/physrevb.92.115208

Cited by 4 publications

(2 citation statements)

References 14 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Не менее значимыми являются работы по изучению закономерностей легирования эпитаксиальных гетеро-структур на основе соединений группы A III B V , по-скольку высокая производительность оптоэлектронных компонент на их основе может быть обеспечена лишь при условии однозначных представлений о структурных, оптических и энергетических свойствах материалов ге-теропары, а также понимании процессов и закономерно-стей легирования эпитаксиальных твердых растворов ак-цепторными и донорными примесями. Примеси вводятся в полупроводниковый слой с целью контролируемого управления типом проводимости, а также целым рядом электрооптических свойств [3][4][5].…”

Section: Introductionunclassified

Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости

Seredin¹,

Lenshin²,

Арсентьев³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

На основе методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии исследованы структурные, оптические и энергетические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs : Mg/GaAs(100) с различной степенью легирования магнием. Показано, что подбором технологических условий в твердом растворе AlxGa1-xAs : Mg может быть достигнут не только различный тип проводимости, но и существенно различная концентрация носителей заряда в эпитаксиальной пленке. DOI: 10.21883/FTP.2017.01.8342

show abstract

Section: Introductionunclassified

Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости

Seredin¹,

Lenshin²,

Арсентьев³

et al. 2017

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Diluted magnetic semiconductors(DMS) have long been of great interest in combining the optical character of semiconductor and the magnetism character of ferromagnetic material1234. (Ga,Mn)As is considered as one of the most promising DMS for spintronic devices due to the compatible growth techniques and relatively high Curie temperature56.…”

mentioning

confidence: 99%

Observation of spin-polarized photoconductivity in (Ga,Mn)As/GaAs heterojunction without magnetic field

Liu

Wang

et al. 2017

Sci Rep

View full text Add to dashboard Cite

In the absent of magnetic field, we have observed the anisotropic spin polarization degree of photoconduction (SPD-PC) in (Ga,Mn)As/GaAs heterojunction. We think three kinds of mechanisms contribute to the magnetic related signal, (i) (Ga,Mn)As self-producing due to the valence band polarization, (ii) unequal intensity of left and right circularly polarized light reaching to GaAs layer to excite unequal spin polarized carriers in GaAs layer, and (iii) (Ga,Mn)As as the spin filter layer for spin transport from GaAs to (Ga,Mn)As. Different from the previous experiments, the influence coming from the Zeeman splitting induced by an external magnetic field can be avoided here. While temperature dependence experiment indicates that the SPD-PC is mixed with the magnetic uncorrelated signals, which may come from current induced spin polarization.

show abstract

Epitaxial alloys of AlxGa1−xAs:Mg with different types of conductivity

Seredin

Lenshin

Arsentyev³

et al. 2016

Physica B: Condensed Matter

View full text Add to dashboard Cite

Optical power-driven electron spin relaxation regime crossover in Mn-doped bulk GaAs

Cited by 4 publications

References 14 publications

Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости

Эпитаксиальные твердые растворы Al-=SUB=-x-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-=/SUB=-As : Mg с различным типом проводимости

Observation of spin-polarized photoconductivity in (Ga,Mn)As/GaAs heterojunction without magnetic field

Epitaxial alloys of AlxGa1−xAs:Mg with different types of conductivity

Contact Info

Product

Resources

About