Optimization of conventional ellipsometric setups for determining the dielectric tensor of arbitrarily anisotropic systems

Обобщенная Нуль-Эллипсометрия В Схеме "Поляризатор-Образец-Анализатор"

“…Для сравнительной оценки возможностей предлагаемого метода мы промоделировали его работу на примере гипотетического анизотропного материала (кристалла), обладающего как двулучепреломлением, так и дихроизмом, оптическая ось которого параллельна его отражающей поверхности. Это дает возможность сравнить его чувствительность как с фотометрическим методом, использующим азимутальное вращение образца [19], так и с методом СтЭ в схеме PCSA, который в данном случае позволяет определить оптические константы кристалла n o , n e , k o , k e через параметры , и ⊥ , ⊥ , измеренные при ориентации плоскости падения параллельно и перпендикулярно оптической оси [1].…”

“…[19] предложена оптимизированная разновидность фотометрической методики обобщенной эллипсометрии, где вместо измерения 11 , 12 , 21 , 11 , 12 , 21 измеряется зависимость I D от азимутального положения образца . Преимущество такой методики состоит в том, что в процессе измерения поляризатор и анализатор находятся в фиксированных положениях, вращается лишь образец.…”

“…лов Эйлера). Теоретическое рассмотрение показало[19], что получаемые зависимости I D ( ), cопряженные с моделированием измеряемых анизотропных объектов, позволяют определять тензоры диэлектрической проницаемости и толщины самых различных анизотропных структур.…”