Optimization of Porous Silicon Characteristics for Solar Batteries

Abstract

Анотація. Досліджено вплив технологічного процесу формування антивідбивних шарів на основі поруватого кремнію на стан фронтальної контактної системи кремнієвих сонячних елементів. Для оптимізації даної технології використано електроліт C 2 H 5 OH:H 2 O:HF=1:1:1 при поверхневій густині анодного заряду 0,46 Кл/см 2 . Зменшення часу анодування в такому електроліті до 10 с дозволило отримати шари поруватого кремнію без суттєвого пошкодження контактної струмозбиральної гребінки. Встановлено механізм і ступінь впливу фронтального шару поруватого кремнію на основні параметри досліджуваних зразків сонячних елементів. Для моно-і мультикристалічних сонячних елементів приріст фотоструму перевищував 50%, коефіцієнт корисної дії підвищився на 25% і 22%, відповідно для монокристалічних і мультикристалічних зразків. При цьому виявлено зменшення напруги неробочого ходу на 2,5% для всіх досліджуваних зразків.Ключові слова: поруватий кремній; сонячний елемент; антивідбивне покриття; електрохімічне травлення