Optoelectronic devices by gas source molecular beam epitaxy

Goldstein, Leon J.; Starck, C.; Emery, J.‐Y.; Gaborit, F.; Bonnevie, D.; Poingt, F.; Lambert, Marc

doi:10.1016/0022-0248(92)90382-s

Cited by 7 publications

(2 citation statements)

References 9 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…In a carefully designed MBE system control of doping concentration and layer thickness with uniformity of ±1% over a 2-inch diameter wafer can be achieved [69]. Layers of thickness less than 100Å can be controllably produced by MBE, permitting one to fabricate multilayered superlattices for use in quantum well devices [70]. This topic is discussed more thoroughly in Chapter 18.…”

Section: Fig 413 a Schematic Of An Mbe Growth Systemmentioning

confidence: 99%

Waveguide Fabrication Techniques

Hunsperger

2009

Integrated Optics

View full text Add to dashboard Cite

In Chapter 3, the theoretical considerations relevant to various types of waveguides were discussed. In every case, waveguiding depended on the difference in the index of refraction between the waveguiding region and the surrounding media. A great many techniques have been devised for producing that required index difference. Each method has particular advantages and disadvantages, and no single method can be said to be clearly superior. The choice of a specific technique of waveguide fabrication depends on the desired application, and on the facilities available. In this Chapter, various methods of waveguide fabrication are reviewed, and their inherent features are discussed.

show abstract

Section: Fig 413 a Schematic Of An Mbe Growth Systemmentioning

confidence: 99%

Waveguide Fabrication Techniques

Hunsperger

2009

Integrated Optics

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Σε ένα προσεκτικά σχεδιασμένο σύστημα ΕΜΔ, ο έλεγχος ντοπαρίσματος και ο έλεγχος του πάχους του δισκίου αγγίζει το ±1% σε μία διάμετρο δισκίου 2 ιντσών[31]. Στρώματα με πάχος μικρότερο των 100 Å μπορούν να παραχθούν με την ΕΜΔ, επιτρέποντας έτσι την κατασκευή πολυστρωματικών δομών, όπως για παράδειγμα διατάξεις κβαντικών πηγαδιών[32].Εικόνα 1-5. Σχηματική αναπαράσταση συστήματος επιταξίας μοριακής δέσμης.Ειδικές μετατροπές, θα πρέπει να γίνουν στο συμβατικό σύστημα εναπόθεσης ΕΜΔ, ώστε να μπορεί να κατασκευάσει διατάξεις της τάξης των νανομέτρων.…”

unclassified

Νανοφωτονικές Διατάξεις Αργού Φωτός Με Εφαρμογή Στις Τηλεπικοινωνίες

Κανάκης¹

View full text Add to dashboard Cite

Η παρούσα διδακτορική διατριβή μελετάει το σχεδιασμό επίπεδων κυματοδηγών φωτονικών κρυστάλλων για τηλεπικοινωνιακές εφαρμογές. Προτείνεται η μοντελοποίηση των κυματοδηγών φωτονικών κρυστάλλων σύμφωνα με τη μέθοδο επιπέδων κυμάτων, η υλοποίηση της οποίας σε τρεις διαστάσεις περιγράφεται εκτενώς. Μελετάται ο σχεδιασμός των γεωμετρικών χαρακτηριστικών των κυματοδηγών φωτονικών κρυστάλλων και οι βελτιώσεις που μπορεί να επιφέρει σε διάφορα γραμμικά και μη-γραμμικά φαινόμενα, εστιασμένα γύρω από τηλεπικοινωνιακές εφαρμογές. Παρουσιάζεται η συμπεριφορά του σχεδιασμού των γεωμετρικών χαρακτηριστικών του επίπεδου κυματοδηγού φωτονικών κρυστάλλων ως προς την καθυστέρηση οπτικών παλμών συμπεριλαμβανομένων των γραμμικών απωλειών και των φαινομένων διασποράς. Στη μελέτη συμπεριλαμβάνεται η μελέτη σολιτονιακών παλμών καθώς και η επίδραση της αρχικής τους ισχύος στις επιπτώσεις των φαινομένων διασποράς. Προτείνεται ένας νέος δείκτης βελτιστοποίησης της αποθηκευτικής ικανότητας των κυματοδηγών φωτονικών κρυστάλλων ικανός να συμπεριλάβει φαινόμενα απωλειών και διασποράς που θα υπόκεινται το οπτικό σήμα. Παρουσιάζονται σχεδιασμοί φωτονικών κρυστάλλων με βελτιωμένες επιδόσεις αποθηκευτικής ικανότητας. Επίσης παρουσιάζεται μία συστηματική μελέτη εντοπισμού του βέλτιστου σχεδιασμού συμπεριλαμβάνοντας μέχρι και δέκα σχεδιαστικές παραμέτρους ταυτόχρονα, καταλήγοντας στο βέλτιστο σχεδιασμό για διάφορα εύρη οπτικών σημάτων. Επιπλέον προτείνονται δύο νέοι δείκτες βελτιστοποίησης των επιδόσεων των κυματοδηγών φωτονικών κρυστάλλων ως προς το φαινόμενο της μίξης τεσσάρων κυμάτων. Για το σκοπό αυτό παρουσιάστηκαν ημιαναλυτικές εκφράσεις της απόδοσης του φαινομένου της μίξης τεσσάρων κυμάτων συμπεριλαμβανομένων λοιπών γραμμικών και μη-γραμμικών φαινομένων. Οι νέοι δείκτες βελτιστοποίησης, εκτός από το ευρέως διαδεδομένο δείκτη απόδοσης, συμπεριλαμβάνουν το εύρος ζώνης αλλά και την συχνοτική απόσταση των εμπλεκόμενων κυμάτων. Επίσης ο παράγοντας της οπτικής ισχύος του κύματος αντλίας αλλά και το μήκος του κυματοδηγού συμπεριλαμβάνονται στη διαδικασία σχεδιασμού δίνοντας πιο ρεαλιστικά αποτελέσματα. Παρουσιάζονται βέλτιστοι σχεδιασμοί φωτονικών κρυστάλλων οι οποίοι παρέχουν υψηλές επιδόσεις του φαινομένου της μίξης τεσσάρων κυμάτων, μεταβάλλοντας μέχρι και δέκα σχεδιαστικές παραμέτρους ταυτόχρονα.

show abstract

Waveguide Fabrication Techniques

Hunsperger¹

2002

Advanced Texts in Physics

View full text Add to dashboard Cite

Optoelectronic devices by gas source molecular beam epitaxy

Cited by 7 publications

References 9 publications

Waveguide Fabrication Techniques

Waveguide Fabrication Techniques

Νανοφωτονικές Διατάξεις Αργού Φωτός Με Εφαρμογή Στις Τηλεπικοινωνίες

Waveguide Fabrication Techniques

Contact Info

Product

Resources

About