2013
DOI: 10.1063/1.4820451
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Origin and enhancement of the 1.3 μm luminescence from GaAs treated by ion-implantation and flash lamp annealing

Abstract: GaAs and GaAs based materials have outstanding optoelectronic properties and are widely used as light emitting media in devices. Many approaches have been applied to GaAs to generate luminescence at 0.88, 1.30, 1.55 µm which are transmission windows of optical fibers. In this paper we present the photoluminescence at 1.30 µm from deep level defects in GaAs treated by ion-implantation and flash lamp annealing (FLA). Such emission, which exhibits superior temperature stability, can be obtained from FLA treated v… Show more

Help me understand this report
View preprint versions

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
2

Citation Types

0
3
0
3

Year Published

2014
2014
2019
2019

Publication Types

Select...
7
1

Relationship

2
6

Authors

Journals

citations
Cited by 11 publications
(6 citation statements)
references
References 21 publications
0
3
0
3
Order By: Relevance
“…При имплантации с дозой 5 • 10 16 cm −2 в слое формируется плотная структура протяженных дефектов, что сопровождается релаксацией макронапряжений до исходного состояния. DOI: 10.21883/PJTF.2018.18.46608.17148 В последние годы проводятся обширные исследования, направленные на создание эффективных и интенсивных излучателей на основе разбавленных твердых растворов GaAs 1−x N x для инфракрасной оптоэлектроники [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11]. Такие структуры изготавливаются с помощью различных методов: металлоорганического химического напыления [1], молекулярно-пучковой эпитаксии [2,5] и ионной имплантации [3,4,[6][7][8][9][10][11].…”
Section: поступило в редакцию 11 декабря 2017 гunclassified
See 1 more Smart Citation
“…При имплантации с дозой 5 • 10 16 cm −2 в слое формируется плотная структура протяженных дефектов, что сопровождается релаксацией макронапряжений до исходного состояния. DOI: 10.21883/PJTF.2018.18.46608.17148 В последние годы проводятся обширные исследования, направленные на создание эффективных и интенсивных излучателей на основе разбавленных твердых растворов GaAs 1−x N x для инфракрасной оптоэлектроники [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11]. Такие структуры изготавливаются с помощью различных методов: металлоорганического химического напыления [1], молекулярно-пучковой эпитаксии [2,5] и ионной имплантации [3,4,[6][7][8][9][10][11].…”
Section: поступило в редакцию 11 декабря 2017 гunclassified
“…DOI: 10.21883/PJTF.2018.18.46608.17148 В последние годы проводятся обширные исследования, направленные на создание эффективных и интенсивных излучателей на основе разбавленных твердых растворов GaAs 1−x N x для инфракрасной оптоэлектроники [1][2][3][4][5][6][7][8][9][10][11]. Такие структуры изготавливаются с помощью различных методов: металлоорганического химического напыления [1], молекулярно-пучковой эпитаксии [2,5] и ионной имплантации [3,4,[6][7][8][9][10][11]. В литературе практически отсутствуют сведения о деталях технологии получения приборных структур на основе этих растворов и, что особенно важно, о дефектах и их влиянии на свойства твердых растворов.…”
Section: поступило в редакцию 11 декабря 2017 гunclassified
“…Flash lamp annealing (FLA), in the range of 400 μs to 20 ms [26,27], has been confirmed as a useful technology to recrystallize ion-implanted semiconductors, e.g. GaAs 1−x N x [28,29], Ga 1−x Mn x As [30,31], hyper-doped Si [32,33], etc. Interestingly, according to a study by Potzger et al, α-Fe nanoparticles formed during FLA of Fe-implanted ZnO, opening a new avenue to induce TM-rich nanocluster formation in semiconductor matrices [34][35][36][37] also by FLA.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Using N implantation and FLA, the band gap of GaAs:N is reduced from 1.45 eV (undoped GaAs) to 1.30 eV for 1% of N . Moreover, proper defect engineering in GaAs leads to a 1.3 μm emission, which is attractive in the field of optical‐fiber communications . Prucnal et al have also studied the evolution of the electronic band structure in (Ga,Mn)As after FLA.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%