Oxygen vacancy region formation in BaTiO₃ adjacent to the interface between the internal electrode and the dielectric layer in Ni–Sn internal electrode multilayer ceramic capacitor exhibiting leakage current suppression

Abstract

This study underlines the ceramic BaTiO3 dielectric layer adjacent to the electrode of long-term reliability-improved Ni-Sn alloy internal electrode BaTiO3-based multilayer ceramic capacitor to clarify the cause of electric barrier formation. Electron energy loss spectroscopy measurements of the Ti L3,2 near the edges and the O K near the edge structure changes to characterize the existence of an oxygen vacancy region, approximately 60 nm in width, and generated in BaTiO3 adjacent to the interface. Accordingly, the n-type semiconductor layer of BaTiO3 that originated from the oxygen vacancies, led to the formation of a rigid Schottky barrier at the interface.

Development of Electrolyte with Enhanced Corrosion Resistance for Sn Electroplating on Multi-Layer Ceramic Capacitors

“…도금과 주석도금 시행한다 [9,10]. 하지만 이 도금과정에서 발생하는 수소 기체가 유전체를 환원시키면서 산소 기포를 발생시키고, 산소 기포에 의해 터널링 현상이 유도되어 커 패시터의 절연저항이 저하될 수 있다 [11]. 또한 기존에 사용하고 있는 산성 조건의 도금액에 의해 커패시터 내의 글라스를 구성하는 주성분인 Ba 성분이 쉽게 침식 및 용 출될 수 있다 [12].…”