2005
DOI: 10.1007/s10720-005-0110-0
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Phase Diagram and Glass Formation in the Sb2S3-AgI System

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“…Sb 2 S 3 是一种优秀的半导体材料, 已经被广泛 地应用到太阳能电池、传感器、发光装置以及电池 改性等领域中 [1][2][3][4] 。Sb 2 S 3 具有较强的光吸收系数 [5] (7.3×10 4 cm -1 , 波长 600 nm 下)以及可变的能带宽 度 [6][7][8][9] (1.5~2.2 eV), 在光电化学领域得到越来越多 的关注。 近年来, 纳米 Sb 2 S 3 的研究主要集中在制备 不同形貌的纳米结构 [10][11][12] [13][14] 。 同时, PEG 将与 Sb 2 S 3 晶 体中不同晶胞中的 Sb 和 S 原子紧密结合 [15] , 并包裹 在 Sb 2 S 3 微晶表面, 因此, 当水热温度为 160℃时, 合 成的 Sb 2 S 3 结构为堆叠状的纳米片。在热处理过程 中, Sb 2 S 3 微晶发生重结晶, 不同晶链中 SbS 之间的 弱共价键 [13] 的范围内, 样品 S 6 的光吸收值高于商业 Sb 2 S 3 试剂, 说明样品 S 6 对可见光的吸收能力比商业 Sb 2 S 3 试剂 更强。从图 5 还能看出, 随着水热合成温度的升高, 所合成纳米 Sb 2 S 3 的光吸收能力也得到增强。同时, 由于量子尺寸效应 [16] , 相比于商业 Sb 2 S 3 试剂, 纳 米 Sb 2 S 3 的吸收边发生蓝移。 图 5(b)是根据 Kubelka-Munk 公式计算得到的样品 Tauc 曲线图, 由图可知, 较高的水热合成和热处理温度使能带宽度(E g )更 窄。S 6 的(αhv) 2 与 hv 呈线性关系, 为直接半导体 [17] ,…”
unclassified
“…Sb 2 S 3 是一种优秀的半导体材料, 已经被广泛 地应用到太阳能电池、传感器、发光装置以及电池 改性等领域中 [1][2][3][4] 。Sb 2 S 3 具有较强的光吸收系数 [5] (7.3×10 4 cm -1 , 波长 600 nm 下)以及可变的能带宽 度 [6][7][8][9] (1.5~2.2 eV), 在光电化学领域得到越来越多 的关注。 近年来, 纳米 Sb 2 S 3 的研究主要集中在制备 不同形貌的纳米结构 [10][11][12] [13][14] 。 同时, PEG 将与 Sb 2 S 3 晶 体中不同晶胞中的 Sb 和 S 原子紧密结合 [15] , 并包裹 在 Sb 2 S 3 微晶表面, 因此, 当水热温度为 160℃时, 合 成的 Sb 2 S 3 结构为堆叠状的纳米片。在热处理过程 中, Sb 2 S 3 微晶发生重结晶, 不同晶链中 SbS 之间的 弱共价键 [13] 的范围内, 样品 S 6 的光吸收值高于商业 Sb 2 S 3 试剂, 说明样品 S 6 对可见光的吸收能力比商业 Sb 2 S 3 试剂 更强。从图 5 还能看出, 随着水热合成温度的升高, 所合成纳米 Sb 2 S 3 的光吸收能力也得到增强。同时, 由于量子尺寸效应 [16] , 相比于商业 Sb 2 S 3 试剂, 纳 米 Sb 2 S 3 的吸收边发生蓝移。 图 5(b)是根据 Kubelka-Munk 公式计算得到的样品 Tauc 曲线图, 由图可知, 较高的水热合成和热处理温度使能带宽度(E g )更 窄。S 6 的(αhv) 2 与 hv 呈线性关系, 为直接半导体 [17] ,…”
unclassified