Phonon Focusing and Phonon Transport

Особенности фокусировки спиновых волн в кристаллах EuO и EuS

“…По аналогии с известным анализом фокусировки фононов [17][18][19], для магнонов введем углы θ 0 , θ 1 , θ 2 и θ V 0 , характеризующие фокусировку спиновых волн при наличии вогнутых участков на изоэнергетической поверхности (схема и иллюстрация расчета этих углов подробно описана в работах [17][18][19]). Эти углы будем отсчитывать от направления фокусировки θ = θ F .…”

“…По аналогии с анализом фокусировки фононов [18,19], для магнонов введем среднюю плотность состояний, приходящуюся на единичный угол для областей фоку-…”

“…Второй метод предложен в работах [17][18][19] для вычисления угловых распределений плотности фононных состояний (ПФС) квазипоперечных фононных мод. Он основан на анализе структуры поверхности постоянной энергии поперечных мод при наличии вогнутых участков на указанной поверхности и расчете углов, характеризующих фокусировку фононов.…”

Влияние фокусировки фононов на теплопроводность гетероструктур GaAs/AlGaAs при низких температурах

“…1 видно, что фокусировка фононов характеризуется углами: θ 1 −θ 4 (см. подробнее [17,23,24]). В изотропной среде направление распространения фонона и его волнового вектора совпадают, поэтому фононы, распространяющиеся в изотропной среде в секторе −θ 4 ≤ θ ≤ θ 4 , в кристаллах GaAs будут распространяться в существенно меньшем секторе −θ 3 ≤ θ ≤ θ 3 (см.…”

“…Таким образом, плотность состояний для моды t 2 в направлениях фокусировки близких к [100] существенно возрастает по сравнению с изотропной средой. Оценим влияние фокусировки на плотность фононных состояний (ПФС), аналогично тому, как это сделано в [23] (см. также [17]).…”