Photo‐ and Thermochemical Reactions with Participation of Br<sup>−</sup> Centres in X‐Rayed KBr

Аkilbekov, A.; Dauletbekova, А.; Elango, A.

doi:10.1002/pssb.2221270208

Cited by 18 publications

(4 citation statements)

References 12 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Figure 9 displays the absorption spectrum of the M centers, which are aggregates of two F centers. These modes correspond to the V center (hole aggregates) in KBr crystals irradiated with X-rays [55]. As shown in Figure 8, the SHI-irradiated BaFBr crystals exhibit similar cen-ters.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 67%

See 1 more Smart Citation

The Effect of 147 MeV 84Kr and 24.5 MeV 14N Ions Irradiation on the Optical Absorption, Luminescence, Raman Spectra and Surface of BaFBr Crystals

Akilbekov,

Kenbayev,

Dauletbekova

et al. 2024

Crystals

View full text Add to dashboard Cite

Today, BaFBr crystals activated by europium ions are used as detectors that store absorbed energy in metastable centers. In these materials, the image created by X-ray irradiation remains stable in the dark for long periods at room temperature. As a result, memory image plates are created, and they are extended to other types of ionizing radiation as well. Despite significant progress towards X-ray storage and readout of information, the mechanisms of these processes have not been fully identified to date, which has hindered the efficiency of this class of phosphors. In this study, using photoluminescence (PL), optical absorption (OA), Raman spectroscopy (RS), and atomic force microscopy (AFM), the luminescence of oxygen vacancy defects to BaFBr crystals irradiated with 147 MeV 84Kr and 24.5 MeV 14N ions at 300 K to fluences (1010–1014) ion/cm2 was investigated. BaFBr crystals were grown by the Shteber method on a special device. Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX) analysis revealed the presence of Ba, Br, F, and O. The effect of oxygen impurities present in the studied crystals was considered. The analysis of the complex PL band, depending on the fluence and type of ions, showed the formation of three types of oxygen vacancy defects. Macrodefects (tracks) and aggregates significantly influence the luminescence of oxygen vacancy defects. The creation of hillocks and tracks in BaFBr crystals irradiated with 147 MeV 84Kr ions is shown for the first time. Raman spectra analysis confirmed that BaFBr crystals were amorphized by 147 MeV 84Kr ions due to track overlap, in contrast to samples irradiated with 24.5 MeV 14N ions. Raman and absorption spectra demonstrated the formation of hole and electron aggregate centers upon swift heavy ions irradiation.

show abstract

Section: Resultsmentioning

confidence: 67%

“…Figure 8 shows these bands for crystals irradiated with 147 MeV 84 Kr, Figure 8a, and 24.5 MeV 14 N ions, Figure 8b. These modes correspond to the V center (hole aggregates) in KBr crystals irradiated with X-rays [55]. As shown in Figure 8, the SHI-irradiated BaFBr crystals exhibit similar centers.…”

Section: Resultsmentioning

confidence: 67%

The Effect of 147 MeV 84Kr and 24.5 MeV 14N Ions Irradiation on the Optical Absorption, Luminescence, Raman Spectra and Surface of BaFBr Crystals

Akilbekov,

Kenbayev,

Dauletbekova

et al. 2024

Crystals

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…д.) существования сложных дефектов, в состав кото-рых безусловно входят катионные вакансии и/или кати-онные интерстициалы ( [9,121,123,125,126] и цитируемая там литература).…”

Section: международная школа-семинар "unclassified

“…4, части а и с) требуется стаби-лизация комплементарных H-центров (рождаются F−H пары), высокоподвижных при комнатной температуре. Образование в процессе РЭВ пространственно-близких вторичного e 0 и первичной e−h приводит при их по-следующем безызлучательном распаде/рекомбинации и автолокализации дырок к стабилизации созданных H-и V k -центров в форме подробно изученных трехгалоидных молекул (стабильны до 400−500 K) [122][123][124][125][126].…”

Section: международная школа-семинар "unclassified

Эволюция Анионных И Катионных Экситонов В Щелочно-Галоидных Кристаллах (О Б З О Р)

Лущик¹,

Лущик²

2018

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Дан обзор проявлениям существования свободных анионных экситонов, процессов их автолокализации и сосуществования подвижных и автолокализованных экситонов (АЛЭ) в широкощелевых щелочно-галоидных кристаллах (ЩГК). Рассмотрены излучательный канал распада анионных экситонов с люминесценцией, а также особый тип безызлучательного канала -с рождением элементарных дефектов Френкеля (ДФ). Проанализированы критерии эффективности этого канала дефектообразования, возможные механизмы распада АЛЭ с рождением нейтральных и заряженных анионных ДФ, а также процессы размножения электронных возбуждений в ЩГК. Особое внимание уделено процессам распада катионных экситонов, в частности и с точки зрения возможности низкотемпературного создания элементарных ДФ в катионной подрешетке ЩГК. ВведениеПосле создания квантовомеханической теории твердо-го тела существенный прогресс в понимании физических явлений в кристаллических системах был связан с вве-дением концепции элементарных возбуждений. Наряду с фононами, электронами проводимости и зонными дырками к числу элементарных возбуждений (квазича-стиц) относятся и подвижные бестоковые собственные электронные возбуждения (ЭВ) -экситоны малого и большого радиусов, идею существования которых предложил Френкель [1-2].Экситоны большого радиуса, теоретически рассмот-ренные Ванье [3], были впервые обнаружены Гроссoм с сотрудниками в узкощелевой полупроводниковой си-стеме Cu 2 O [4,5]. На длинноволновом краю спектра фундаментального (собственного) поглощения была за-регистрирована водородоподобная серия узких линий, укладывающаяся в рамки модели Ванье для экситонов большого радиуса. В дальнейшем школой Гросса были обнаружены смещение экситонных полос поглощения при инверсии магнитного поля и эффект продольно по-перечного расщепления, подтверждающие когерентный характер движения экситонов в полупроводниках (см., например, [6]).В данном кратком обзоре мы рассмотрим экситонные процессы в широкощелевых щелочно-галоидных кри-сталлах (ЩГК) с кубической кристаллической струк-турой и преимущественно ионным характером связи. Экситоны в ШГК имеют малый радиус, сопоставимый с постоянной решетки. Учитывая наличие нескольких обзоров и монографий, посвященных детальному ана-лизу экспериментальных данных об экситонных про-цессах в ЩГК [7][8][9][10], мы ограничимся лишь кратким описанием проявления свободных и автолокализованных экситонов (СЭ и АЛЭ) в спектрах ЩГК. В последующих разделах внимание будет сконцентрировано на особом каналe безызлучательной аннигиляции АЛЭ с рожде-нием структурных, точечных дефектов кристаллической решетки ЩГК. Причем, наряду с прямым оптическим созданием экситонов, мы рассмотрим и случай создания вторичных экситонов в процессе размножения ЭВ. От-метим, что все вышеперечисленные процессы касаются анионных экситонов -оптических ЭВ, затрагивающих валентные электроны внешней оболочки ионов галоида. В заключительном разделе статьи будет рассмотрена " судьба" катионных экситонов, образующихся при фо-товозбуждении внешних электронов катиона. Энергия создания катионных экситонов в ЩГК варьир...

show abstract

Manifesttion of H‐Centre Aggregation in the Exciton‐Induced Thermostimulated Luminescence of KBr: In and KBr: Tl Crystals

Попов

1992

Physica Status Solidi (b)

View full text Add to dashboard Cite

Photo‐ and Thermochemical Reactions with Participation of Br⁻ Centres in X‐Rayed KBr

Cited by 18 publications

References 12 publications

The Effect of 147 MeV 84Kr and 24.5 MeV 14N Ions Irradiation on the Optical Absorption, Luminescence, Raman Spectra and Surface of BaFBr Crystals

The Effect of 147 MeV 84Kr and 24.5 MeV 14N Ions Irradiation on the Optical Absorption, Luminescence, Raman Spectra and Surface of BaFBr Crystals

Эволюция Анионных И Катионных Экситонов В Щелочно-Галоидных Кристаллах (О Б З О Р)

Manifesttion of H‐Centre Aggregation in the Exciton‐Induced Thermostimulated Luminescence of KBr: In and KBr: Tl Crystals

Contact Info

Product

Resources

About

Photo‐ and Thermochemical Reactions with Participation of Br− Centres in X‐Rayed KBr

Cited by 18 publications

References 12 publications

The Effect of 147 MeV 84Kr and 24.5 MeV 14N Ions Irradiation on the Optical Absorption, Luminescence, Raman Spectra and Surface of BaFBr Crystals

The Effect of 147 MeV 84Kr and 24.5 MeV 14N Ions Irradiation on the Optical Absorption, Luminescence, Raman Spectra and Surface of BaFBr Crystals

Эволюция Анионных И Катионных Экситонов В Щелочно-Галоидных Кристаллах (О Б З О Р)

Manifesttion of H‐Centre Aggregation in the Exciton‐Induced Thermostimulated Luminescence of KBr: In and KBr: Tl Crystals

Contact Info

Product

Resources

About

Photo‐ and Thermochemical Reactions with Participation of Br⁻ Centres in X‐Rayed KBr