Photodynamics of Nonlinear Effects of Picosecond Laser Action on CdSe/ZnS QDs Colloidal Solutions

Danilov, V. V.; Kulagina, A. S.; Sibirev, N. V.; Khrebtov, A. I.; Shilov, V. B.

doi:10.1134/s0030400x18110097

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 25 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Одним из важных механизмов взаимодействия между составляющими частями композитных наноструктур является безызлучательный перенос энергии [7][8][9]. Исследования последних лет показали, что спектрокинетические методы зарекомендовали себя как эффективный инструмент анализа фотодинамики безызлучательных процессов в полупроводниковых нанокристаллах [10][11][12][13][14][15][16]. В этом случае важное значение приобретает адекватное математическое описание экспериментальных зависимостей кинетики затухания фотолюминесценции (ФЛ) [14,[17][18][19][20][21][22].…”

Section: Introductionunclassified

Фотодинамика люминесценции гибридных наноструктур InP/InAsP/InP ННК, пассивированных слоем ТОРО-CdSe/ZnS КТ

Khrebtov¹,

Kulagina²,

Danilov³

et al. 2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

The results of studies of the photodynamics of the excited state decay of a hybrid semiconductor nanostructure, which is an array of InP nanowires with InAsP nanoinsertions passivated with a layer of TOPO (trioctylphosphine oxide) containing colloidal CdSe/ZnS quantum dots, are presented. Time- and spectrally resolved measurement of photoluminescence InAsP nanoinsertions in the near infrared region at temperatures of 80 K and 293 K were made. The presence of a quasi-Langmuir layer of TOPO-CdSe/ZnS quantum dots on the surface of InP/InAsP/InP nanowires leads to an increase in the duration of radiative recombination and its dependence on temperature. It was found that the synthesized structure has a type-II heterojunction at the interface between the InAsP nanoinsertion and the InP volume. The influence of interfacial processes on increasing the duration of radiative recombination is discussed.

show abstract