Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок -Ga 2 O 3 , одержаних методою високочастотного йонно-плазмового розпорошення. Виявлено наявність власної фотопровідности та її особливості, залежно від умов одержання плівок. Проведено аналізу спектрального зміщення максимуму смуги збудження фотопровідности, залежно від наявности термооброблення плівок. The structure, phase composition, and surface morphology of thin -Ga 2 O 3 films obtained by high-frequency ion-plasma sputtering are investigated. The presence of intrinsic photoconductivity and its features are revealed depending on the conditions for obtaining films. The analysis of the spectral shift of the maximum of the photoconductivity excitation band as a function of the thermal treatment of films is provided. Исследована структура, фазовый состав и морфология поверхности тонких плёнок -Ga 2 O 3 , полученных методом высокочастотного ионноплазменного распыления. Выявлены наличие собственной фотопроводимости и её особенности в зависимости от условий получения плёнок. Проведён анализ спектрального смещения максимума полосы возбуждения фотопроводимости в зависимости от наличия термообработки плёнок.