2017
DOI: 10.1007/s10812-017-0425-3
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Photoluminescence Properties of β-Ga2O3 Thin Films Produced by Ion-Plasma Sputtering

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
3
2

Citation Types

2
8
0
4

Year Published

2018
2018
2023
2023

Publication Types

Select...
8

Relationship

0
8

Authors

Journals

citations
Cited by 25 publications
(14 citation statements)
references
References 20 publications
2
8
0
4
Order By: Relevance
“…It is well known that luminescence spectrum of -Ga 2 O 3 shows two characteristic emission bands in the ultraviolet (UV) region with a maximum at 397 nm and in the blue region with a maximum at 449 nm [16][17][18]. This is also confirmed by our studies of the stationary and thermally stimulated luminescence of thin -Ga 2 O 3 films [19,20].…”
Section: Resultssupporting
confidence: 89%
See 1 more Smart Citation
“…It is well known that luminescence spectrum of -Ga 2 O 3 shows two characteristic emission bands in the ultraviolet (UV) region with a maximum at 397 nm and in the blue region with a maximum at 449 nm [16][17][18]. This is also confirmed by our studies of the stationary and thermally stimulated luminescence of thin -Ga 2 O 3 films [19,20].…”
Section: Resultssupporting
confidence: 89%
“…At the same time, the luminescence centres responsible for these bands interact strongly enough with each other. These centres, according to [19], are most likely associated with singly charged associates of the vacancies of oxygen and gallium (V O , V Ga ). Two photoexcitation bands are well correlated with two photoconductivity ones, which form the total photoconductivity spectrum.…”
Section: Resultsmentioning
confidence: 99%
“…The experimental spectrum is well modeled by two independent Gaussian (linear electron-phonon coupling model) with peaks at 2.95 eV (420 nm) and 3.15 eV (395 nm). Analysis of the TSL emission spectra shows that radiative recombination on liberation of trapping centers occurs through the same centers as in the regime of stationary photoluminescence [14]. There is the energy of their thermal activation E T among the main parameters of the trapping centers.…”
Section: Resultsmentioning
confidence: 98%
“…Проведені нами раніше дослідження [21] показують, що спектри фотолюмінесöенöії тонких плівок -Ga 2 O 3 в основному визна-чаються двома інтенсивними смугами свічення, що перекриваються між собою і максимуми яких розташовані при 2,95 і 3,14 еВ (420 нм і 395 нм). При öьому обидві смуги пов'язуються з асоöіятом, зумовленим взаємодією вакансій Оксиґену і Ґалію (…”
Section: результати дослідження та обговоренняunclassified
“…Враховуючи наявність спектрального зсуву максимумів даних смуг люмінесöенöії і те, що вони збуджуються практично в одній низькоенергетичній області 230-270 нм (5,4-4,6 еВ), можна запропонувати, що ÓÔ-і синя смуги люмінесöенöії у плівках -Ga 2 O 3 , найімовірніше, мають різну природу, хоча öентри, відповідальні за утворення даних смуг сильно взаємодіють між собою. Ці öентри, згідно з [21], öілком можуть пов'язуватися з асоöіятом (…”
Section: результати дослідження та обговоренняunclassified