Photoluminescence Study of AlGaAs/GaAs after Focused Ion Beam Milling

О влиянии травления сфокусированным пучком ионов Ga-=SUP=-+-=/SUP=- в диапазоне энергий 12-30 кэВ на люминесцентные свойства гетероструктуры Al-=SUB=-0.18-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.82-=/SUB=-As/GaAs/Al-=SUB=-0.18-=/SUB=-Ga-=SUB=-0.82-=/SUB=-As

“…Основным ограничением использования СИП для литографии на светоизлучающих структурах является сопутствующее травлению формирование радиационных дефектов, являющихся центрами безызлучательной рекомбинации [6]. Однако влияние основных параметров ионного пучка (энергии, плотности тока, времени облучения) на концентрацию и пространственное распределение центров безызлучательной рекомбинации исследовано недостаточно.…”

Focused ion beam milling of ridge waveguides of edge-emitting semiconductor lasers

“…The disadvantage of the technique is the formation of radiation defects (vacancies, interstitial atoms and their complexes) in the semiconductor structure under the action of high-energy ions. Radiation defects create deep levels in the band gap of the semiconductor, which leads to a decrease in the internal quantum efficiency [7]. According to [7], the formation depth of radiation defects exceeds theoretical estimates by an order of magnitude and reaches 0.85 µm when etching GaAs/AlGaAs heterostructures with Ga + ions with an energy of 30 keV.…”

“…Radiation defects create deep levels in the band gap of the semiconductor, which leads to a decrease in the internal quantum efficiency [7]. According to [7], the formation depth of radiation defects exceeds theoretical estimates by an order of magnitude and reaches 0.85 µm when etching GaAs/AlGaAs heterostructures with Ga + ions with an energy of 30 keV.…”

Модификация Гребневых Волноводов Полупроводниковых Лазеров Фокусированным Ионным Пучком

“…Недостатком метода является образование радиационных дефектов (вакансии, междоузельные атомы и их комплексы) в полупроводниковой структуре под действием высокоэнергетических ионов. Радиационные дефекты создают глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника, что приводит к снижению внутреннего квантового выхода [7]. По данным работы [7] глубина формирования радиационных дефектов на порядок превышает теоретические оценки и при травлении гетероструктур GaAs/AlGaAs ионами Ga + c энергией 30 keV составляет 0.85 µm.…”

“…Радиационные дефекты создают глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника, что приводит к снижению внутреннего квантового выхода [7]. По данным работы [7] глубина формирования радиационных дефектов на порядок превышает теоретические оценки и при травлении гетероструктур GaAs/AlGaAs ионами Ga + c энергией 30 keV составляет 0.85 µm.…”