Photophysical Properties of Multilayer Graphene–Quantum Dots Hybrid Structures

Abstract

Photoelectrical and photoluminescent properties of multilayer graphene (MLG)–quantum dots (QD) hybrid structures have been studied. It has been shown that the average rate of transfer from QDs to the MLG can be estimated via photoinduced processes on the QDs’ surfaces. A monolayer of CdSe QDs can double the photoresponse amplitude of multilayer graphene, without influencing its characteristic photoresponse time. It has been found that efficient charge or energy transfer from QDs to MLG with a rate higher than 3 × 108 s−1 strongly inhibits photoinduced processes on the QD surfaces and provides photostability for QD-based structures.

Time- and Spectrally-Resolved Photoluminescence Study of Alloyed CdxZn1−xSeyS1−y/ZnS Quantum Dots and Their Nanocomposites with SPIONs in Living Cells

“…It is mainly associated with energy transfer from QDs to SPIONs, since the QD luminescence overlaps with the SPION absorption because they show absorption in the entire visible range at room temperature [ 55 ]. The total rate of these channels is characterized by the quenching rate of QDs with SPIONs obtained using the following formula [ 56 ]: …”

Green Preparation of Mn‐Doped ZnS Quantum Dots/Gelatin Composite Gel Beads and Their Applications in Detection

“…In addition, the QY of QDs was determined relative to Rhodamine 6G in water (QY = 95 %). [33] The QY values were determined using the equation:…”

Фотостабильность и фотоиндуцированные процессы в квантовых точках CuInS-=SUB=-2-=/SUB=-/ZnS и их гибридных структурах с многослойными нанолентами графена

“…Проверка этого факта очень важна, особенно в свете предполагаемого использования таких КТ в качестве доноров энергии для биомедицинской сенсорики или в качестве активного слоя фотовольтаических элементов. Для проведения исследований фотостабильности CIS/ZnS КТ и гибридных структур МНГ/CIS/ZnS КТ в данной работе была применена методика оценки скорости процессов фотоиндуцированного изменения состояния поверхности КТ, предложенную ранее нашей группой для исследования фотостабильности CdSe/ZnS КТ [23]. Данная методика заключается в сравнительном исследовании процессов фотоактивации/фотодеградации КТ на диэлектрической подложке и находящихся в составе гибридных структур с МНГ и использовании оценок эффективности взаимодействия КТ со вторым компонентом гибридной структуры.…”

“…Это свидетельствует о том, что перенос энергии/заряда от КТ на МНГ конкурирует с фотодеструкцией. Однако стоит отметить, что эффективность канала переноса энергии/заряда в гибридной структуре МНГ/CIS/ZnS на порядок ниже, чем в гибридных структурах типа МНГ/CdSe/ZnS [23,24]. Так, в работе [23], ранее опубликованной нашей группой, была произведена оценка эффективности фотоиндуцированного изменения состояния поверхности CdSe/ZnS КТ, составившая ∼ 100% для CdSe/ZnS КТ на диэлектрической подложке и ∼ 10% для CdSe/ZnS КТ в составе гибридных структур с МНГ.…”

“…Однако стоит отметить, что эффективность канала переноса энергии/заряда в гибридной структуре МНГ/CIS/ZnS на порядок ниже, чем в гибридных структурах типа МНГ/CdSe/ZnS [23,24]. Так, в работе [23], ранее опубликованной нашей группой, была произведена оценка эффективности фотоиндуцированного изменения состояния поверхности CdSe/ZnS КТ, составившая ∼ 100% для CdSe/ZnS КТ на диэлектрической подложке и ∼ 10% для CdSe/ZnS КТ в составе гибридных структур с МНГ. Поскольку оба типа КТ имеют одинаковую полупроводниковую оболочку ZnS и именно она подвергается фотодеструкции, можно полагать, что на поверхности обеих типов КТ происходят одни и те же фотохимические процессы, приводящие к фотодеструкции поверхности КТ.…”