Photopleochroism of GaP<sub>x</sub>As<sub>1-x</sub> Surface-Barrier Structures

Konnikov, S. G.; Rud, V. Yu.; Rud, Yu. V.; Melebaev, D.; Berkeliev, A.; Serginov, M.; Tilevov, S.

doi:10.7567/jjaps.32s3.515

Cited by 14 publications

(1 citation statement)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…На одной поверхности GaP создавался омический контакт 97% In+3% Te. На другой поверхности сначала формировался промежуточный туннельно-прозрачный палладиевой слой (Pd) толщиной 20-30 Å, затем создавался барьерный контакт нанослоя золота (Au) толщиной 100-120 Å. Промежуточный слой Pd и барьерный контакт (БК) создавались химическим методом[6,7].…”

unclassified

Вивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP

Буджеміла¹,

Rud²,

Мелебаев³

et al. 2021

ЕЛС

View full text Add to dashboard Cite

Бар'єри Шоткі (БШ) на основі фосфіду галію (GaP) привертають увагу дослідників як перспективні структури для розробки різного роду радіаційно стійких електронних і електричних приладів, в тому числі високотемпературних приладів, приладів високочастотної силової електроніки, ультрафіолетової (УФ) фотоелектроніки і сонячної енергетики. Робота присвячена дослідженню фотоелектричних властивостей поверхнево бар'єрних (ПБ) структур Au-паладій-n-GaP у видимій області спектра під дією як природного, так і поляризованого випромінювання, з метою отримання нових даних про висоту бар'єру, зонної структурі GaP і міжфазної межі розділу метал-напівпровідник. Об'єктом дослідження є наноструктуровані структури Au-паладій-n-GaP. Вихідний матеріал для виготовлення структур – орієнтовані в кристалографічних площинах (100) пластинки n-GaP [n = (0.1-5) · 1017 см-3, 300 К] товщиною 350-400 мкм, вирощені методом Чохральського. Досліджуючи фоточутливість наноструктурованих структур типу Au-Pd-n-GaP в видимій області спектра можна отримати важливу інформацію про параметри потенційного бар'єру, зонної структури напівпровідника. Таким чином, проміжний нанослой Pd (Паладій) між GaP і Au товщиною 20-30 Å, створює в наноструктурі Au-Pd-n-GaP специфічні властивості, що мають важливе науково-практичне значення.

show abstract

unclassified

Вивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP

Буджеміла¹,

Rud²,

Мелебаев³

et al. 2021

ЕЛС

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Tervalent Conducting Polymers with Tailor-Made Work Functions: Preparation, Characterization, and Applications as Cathodes in Electroluminescent Devices

et al. 2001

View full text Add to dashboard Cite

A series of conducting polymers have been prepared through thermal polymerization of transition-metal diimine complexes. The as-polymerized material is electrochemically converted into its formally zerovalent form. Due to the proximity of the half-wave potentials of the formal 1+/0 and 0/1- couples, there is substantial disproportionation of the redox sites at room temperature, resulting in a conductive tervalent mixed-valent material. The redox processes that give rise to this mixed-valent material are predominantly ligand-based, and therefore are highly sensitive to substitution on the ligand periphery. Solution redox chemistry of the monomer can be used to accurately predict the work function of the corresponding zerovalent conducting polymer, which has been verified by ultraviolet photoelectron spectroscopy. Many of these materials have especially low work functions (<3.6 eV) making them appropriate materials to use as cathode materials in organic light-emitting devices (OLEDs). Working examples of tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(III)-based OLEDs have been fabricated using one of these polymers as a cathode.

show abstract

Polarization photosensitivity of silicon solar cells with an antireflection coating consisting of a mixture of indium and tin oxides

et al. 1997

View full text Add to dashboard Cite

Photopleochroism of GaP_xAs_1-x Surface-Barrier Structures

Cited by 14 publications

References 0 publications

Вивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP

Вивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP

Tervalent Conducting Polymers with Tailor-Made Work Functions: Preparation, Characterization, and Applications as Cathodes in Electroluminescent Devices

Polarization photosensitivity of silicon solar cells with an antireflection coating consisting of a mixture of indium and tin oxides

Contact Info

Product

Resources

About

Photopleochroism of GaPxAs1-x Surface-Barrier Structures

Cited by 14 publications

References 0 publications

Вивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP

Вивчення поляризаційної фоточутливості наноструктурованих бар’єрів Шоттки Au-палладій-n-GaP

Tervalent Conducting Polymers with Tailor-Made Work Functions: Preparation, Characterization, and Applications as Cathodes in Electroluminescent Devices

Polarization photosensitivity of silicon solar cells with an antireflection coating consisting of a mixture of indium and tin oxides

Contact Info

Product

Resources

About

Photopleochroism of GaP_xAs_1-x Surface-Barrier Structures