Photoreflectance study on residual strain in heteroepitaxial gallium arsenide on silicon

The effect of dislocations on the optical absorption of heteroepitaxial InP and GaAs on Si

“…5 showing a very good agreement with the experiment. The curves for InP/Si and GaAs/Si were calculated without fitting using the depth dependence of the mechanical strain measured by PL and obtained from literature, 28 respectively.…”

Experimental and theoretical investigation on facet-dependent MoO2/BiOBr Z-scheme heterojunction photocatalytic nitrogen reduction: modulation of bulk charge separation efficiency by built-in electric field intensity

“…Previous photoelectric performance tests have shown that the efficiency of charge separation and transfer is MoO 2 /BiOBr-0 > MoO 2 /BiOBr-1 > MoO 2 /BiOBr-2 > MoO 2 > BiOBr. In order to explore its underlying reasons, the changes in the BIEF intensity of these materials were measured using a model developed by Kanata et al , 51 as shown in Fig. 7c.…”

Инфракрасное Фотоотражение Полупроводниковых Материалов a-=sup=-3-=/Sup=-B-=sup=-5-=/Sup=- ( О Б З О Р )

“…Данная зависимость наблюдалась в экспериментах по ФО GaAs при малых уровнях P las [23,24], однако никакого физического обоснования этому в данных работах приведено не было. Позже были выведены математические выражения, согласно которым обсуждаемая зависимость имеет логарифмический характер [25,26]. В этих работах указывается, что амплитуда сигнала ФО пропорциональна изменению диэлектрической функции полупроводникового материала на поверхности, которое зависит от разности между поверхностным потенциалом при наличии воздействия модулирующего излучения и без него.…”