Photostability of pulsed laser deposited amorphous thin films from Ge-As-Te system

Abstract

Amorphous thin films from Ge-As-Te system were prepared by pulsed laser deposition to study their intrinsic photostability, morphology, chemical composition, structure and optical properties. Photostability of fabricated layers was studied by spectroscopic ellipsometry within as-deposited as well as relaxed (annealed) layers. For irradiation, laser sources operating at three wavelengths in band gap region of the studied materials were employed. The results show that lowest values of photorefraction accompanied with lowest changes of band gap values were exhibited by Ge20As20Te60 thin films, which are therefore considered as the layers with highest photostability in relaxed state. The structure of the films is discussed based on Raman scattering spectroscopy data.

Pulsed laser deposited GeTe-rich GeTe-Sb2Te3 thin films

“…In line with mentioned techniques, pulsed laser deposition (PLD) is a suitable deposition method for the thin films growth too. Favoritism of PLD concerns mainly its simplicity, easy process control, high deposition rate, and often stoichiometric transfer of target material to the films282930. We already reported applicability of PLD for GST films’ fabrication3132.…”

Структура и оптические свойства халькогенидного стеклообразного полупроводника As-Ge-Te

“…На рис. 1 показаны кривые интенсивности дифракции рентгеновских лучей в пленках системы As−Ge−Те с разным содержанием составных элементов, которые хорошо согласуются с результатами работы [8]. Широкие максимумы, наблюдаемые в дифракционной картине, свидетельствуют об аморфности образцов.…”

“…Все данные были получены при комнатной температуре. [8][9][10] и приписан к колебаниям тетраэдров GeTe 4 (симметричный режим растяжения А 1 ), а также симметричным изгибам колебаний пирамид AsTe 3 (мода А 1 ). Пик при 120 см −1 также наблюден в комбинационном спектре тригонального теллура [10].…”

“…Основываясь на этих фактах, авторы работ [10,11] пришли к выводу, что полоса, охватывающая пик при 123 см −1 , может иметь смешанный характер с некоторым вкладом колебаний Те−Те. Полоса с максимумами при 136−141 см −1 , наблюдаемая во всех химических составах, причем более интенсивно в спектре образцов 1 и 2 (с большим содержанием теллура), также наблюдена авторами работ [8,12] и отнесена к колебаниям коротких неупорядоченных цепей Те, которая в аморфном теллуре экспериментально наблюдалась при 157 см −1 [13,14], где частота колебаний смещается из-за дальнодействующего взаимодействия между цепями. Полоса с максимумами при 159 см −1 была приписана антисимметричным изгибным колебаниям пирамид AsTe 3 (Е-мода) [10], а также А 1 -моде GeTe 4 c четырехгранным разделением краев или же Те−Те, как в аморфном теллуре (неупорядоченные цепи) [14].…”

“…Полоса с максимумами при 159 см −1 была приписана антисимметричным изгибным колебаниям пирамид AsTe 3 (Е-мода) [10], а также А 1 -моде GeTe 4 c четырехгранным разделением краев или же Те−Те, как в аморфном теллуре (неупорядоченные цепи) [14]. Слабая полоса в интервале частот 185−195 см −1 также наблюдена авторами работ [8,13] В таблице представлен предполагаемый номинальный состав исследованных материалов. Обычно состояние многокомпонентных материалов характеризуется средним координационным числом Z и параметром R, определяемым отношением числа возможных ковалентных связей атомов халькогена к числу возможных ковалентных связей нехалькогенидных атомов [18].…”