Physical Principles of Photocurrent Generation in Multi-Barrier Punch-Through-Structures

Каримов, А.; Yodgorova, D. M.; Abdulkhaev, O. A.

doi:10.5772/19332

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Year Published

2019

2021

Publication Types

Select...

Article1

Book1

Relationship

Self Cite0

Independent2

Authors

Journals

Cited by 2 publications

(1 citation statement)

References 21 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Коэффициент фотоэлектрического усиления [10], т.е. отношение фототока к первичному фототоку, можно представить в виде…”

unclassified

Фоточувствительность Многослойной Структуры С Потенциальными Барьерами

Каримов¹,

Гиясова²,

Ёдгорова³

et al. 2019

УФЖ

View full text Add to dashboard Cite

Приводятся результаты исследования фоточувствительности гетеропереходной Au-νGaAs:O[1]nCdS-nInP-Au структуры при различных режимах включения. Экспериментально показано, независимо от возбуждаемой поверхности, они отличаются фоточувствительностью в спектральном диапазоне 0.85−0.9 мкм и 1.31−1.55 мкм, что связано с фотогенерационными процессами в высокоомном арсениде галлия и фотоэмиссионными процессами из металла в полупроводник.

show abstract

unclassified