Pin Effect on SiNx and a-Si Layer of Thin Film Transistor

Fabrication Process Study of Silicon Nitride Passivation Layer on GaAs Substrate at Low Temperature

“…氮 化 硅 薄 膜 由 于 优 良 的 物 理 化 学 稳 定 性 、 电 学 性 能 、 光 学 性 能 以 及 良 好 的 绝 缘 性 已 被 广 泛 地 应 用 于 太 阳 能 电 池 、 光 电 子 和 微 电 子 等 领 域 中 。 在 实 际 应 用 中 ， 氮 化 硅 薄 膜 可 作 为 掩 膜 、 绝 缘 层 和 钝 化 层 等 。 例 如 ， 在太阳能电池领域中， 氮化硅薄膜被用作减反射材料和钝化材料 [1][2][3][4] 。在微机电系统(MEMS)领域中， 氮化硅 薄膜则被用作器件的结构材料、 敏感材料和掩蔽层 [5][6] 。在薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)领域， 氮化硅薄 膜 则 被 用 作 为 TFT-LCD 的 栅 绝 缘 层 材 料 [7][8][9][10][11][12] 。 在 AlGaAs 半 导 体 激 光 器 中 ， 氮 化 硅 薄 膜 可 以 被 用 作 很 好 的 钝 化 层 。 与 常 用 的 SiO2 薄 膜 相 比 ， 氮 化 硅 薄 膜 具 有 更 高 的 导 热 系 数 和 更 好 的 散 热 效 果 ， 从 而 可 以 降 低 器 件 因散热问题而引起的失效 [13] 。 目前， 制备氮化硅薄膜的方法主要有热分解法， 直接氮化法， 低压化学气相沉积 [14] (LPCVD)和等离子增 强 化 学 气 相 沉 积 (PECVD)， 此 外 还 有 蒸 发 镀 膜 和 溅 射 镀 膜 法 [15][16][17] 。 蒸 发 和 溅 射 法 所 沉 积 的 氮 化 硅 薄 膜 组 织 [18][19] [20] 。 在 AlGaAs 半导体激光器制作流程中， 氮化硅薄膜沉积到 GaAs 和 AlGaAs 表面后， 还要经过光刻、 刻蚀、 金属沉 积、 研磨抛光及高温退火等很多步工艺 [21][22] 。如果在沉积时氮化硅薄膜有较高的残余应力， 那么在后续的加…”