Abstract:Estudios teóricos y experimentales [5, 19, 34, 56] han mostrado que el arseniuro de galio dopado con nitrógeno (GaAsN) es un buen material para ser empleado en dispositivos espintrónicos, ya que posee centros paramagnéticos de Ga(II) que son responsables de la recombinación dependiente del espín. La excitación de electrones en el GaAsN se da bajo reglas de selección particulares. Así, distintas condiciones de polarización de luz incidente provocan cambios en la conductividad eléctrica del GaAsN, permitiendo tr… Show more
Set email alert for when this publication receives citations?
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.