DOI: 10.24275/uama.6737.9418
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Polarimetría circular por medio de trampas paramagnéticas de Ga(II) en GaAsN: un acercamiento a través de Machine Learning

Abstract: Estudios teóricos y experimentales [5, 19, 34, 56] han mostrado que el arseniuro de galio dopado con nitrógeno (GaAsN) es un buen material para ser empleado en dispositivos espintrónicos, ya que posee centros paramagnéticos de Ga(II) que son responsables de la recombinación dependiente del espín. La excitación de electrones en el GaAsN se da bajo reglas de selección particulares. Así, distintas condiciones de polarización de luz incidente provocan cambios en la conductividad eléctrica del GaAsN, permitiendo tr… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...

Citation Types

0
0
0

Publication Types

Select...

Relationship

0
0

Authors

Journals

citations
Cited by 0 publications
references
References 43 publications
(104 reference statements)
0
0
0
Order By: Relevance

No citations

Set email alert for when this publication receives citations?