Polarized Targets

Gurevich, G. M.

doi:10.1007/978-1-4684-1569-8_3

Cited by 2 publications

(3 citation statements)

References 146 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Acoustic properlies of wide-band-gap semiconductors are usually sensitive to illumination. A2B6 crystals reveal photo-acoustic effect (PAE) [1,2] in noticeable changes of damping due to photocarriers (electrons orland holes) moving in the electric field which arises in piezoelectric materials in the stress field of the acoustic wave [3]. Photoacoustic properties of the non-piezoelectric tetragonal Hg12 crystal (A& family) are described [4,5] in the framework of a dislocation-pinning point interaction model.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Internal Friction and Photoacoustic Effects in A₂B₆ and A₂B₇(HgI₂) Single Crystals at Different Levels of Ultrasound Strain Amplitude

Kardashev

1996

J. Phys. IV France

View full text Add to dashboard Cite

A comparison of effects in damping and Young modulus under the influence of illumination for ZnSe and HgI2 demonstrates quite different mechanisms of photoacoustic interaction in the crystals : a drift of photocarriers in the electric field which arises due to piezoelectricity for the first case and a dislocation pinning mechanism for the second one. Spectral responses of the photoacoustic effect in both amplitude independent and dependent damping range are presented for mercury iodide crystals. The newly found acousto- and photo-optic effects in the luminescence spectrum of HgI2 allow one to specify the photosensitive dislocation pinning centre as an exciton state of carriers on a stoichiometric point defect of the lattice (iodine or mercury vacancy or interstitial)

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Internal Friction and Photoacoustic Effects in A₂B₆ and A₂B₇(HgI₂) Single Crystals at Different Levels of Ultrasound Strain Amplitude

Kardashev

1996

J. Phys. IV France

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…46909.220 Эффект увлечения носителей тока в одной физической системе под влиянием потока частиц в другой системе неоднократно исследовался теоретически и экспериментально (см., например, работы [1][2][3][4][5][6][7]). Увлечение носителей тока в наноструктуре ионным пучком рассматривалось в работах [8,9]. В общем случае увлечение связано с возможностью обмена импульсом (для кристаллов -квазимпульсом) между двумя взаимодействующими системами.…”

unclassified

“…Для тяжелых увлекающих частиц изменение (квази)импульса электронов имеет порядок величины q ∼ mV ′ < mV . Для mV z ≥ 1 порядок величины увлечения слабо зависит от формы действующего потенциала и для его оценки можно использовать данные работ [8,9].…”

unclassified

Увлечение Электронов В Полупроводниковой Наноструктуре Потоком Нейтральных Частиц

Ганцевич¹,

Гуревич²

2019

Физика Твердого Тела

View full text Add to dashboard Cite

Рассматривается увлечение носителей тока (электронов) в двумерной полупроводниковой наноструктуре при движении вблизи ее поверхности потока нейтральных частиц (атомов или молекул). Показано, что увлечение по физическому механизму похоже увлечению электронов ионным пучком в квантовых проволоках, рассмотренному ранее в работах В.Л. Гуревича и М.И. Мурадова.Эффект увлечения носителей тока в одной физической системе под влиянием потока частиц в другой системе неоднократно исследовался теоретически и экспериментально (см., например, работы [1-7]). Увлечение носителей тока в наноструктуре ионным пучком рассматривалось в работах [8,9]. В общем случае увлечение связано с возможностью обмена импульсом (для кристаллов -квазимпульсом) между двумя взаимодействующими системами. Одна из них -активная система имеет отличный от нуля полный (квази)импульс и может взаимодействовать со второй -пассивной системой с исходным нулевым полным (квази)импульсом. При включении межчастичного взаимодействия импульс активной системы распространится на частицы пассивной системы. Поскольку общий центр инерции систем не может измениться под действием внутренних сил, пассивная система обязана прийти в движение, получив часть импульса активной системы. Всегда имеющаяся диссипация в активной системе компенсируется в стационарном режиме приложенной внешней силой, а диссипация в пассивной системе определяет величину увлечения через баланс приходящего и уходящего импульса.В нашем случае активная система -газ нейтральных атомов или молекул, поток которых охватывает пассивную систему в виде полупроводниковой квазидвумерной наноструктуры с невырожденным электронным газом на низшем уровне поперечного квантования.Величину увлечения электронов тяжелыми частицами (M ≫ m) оценим из следующих соображений. Обе системы в стационарном режиме считаем пространственно однородными, исключая поперечный размер. В поперечном направлении потенциал взаимодействия, создаваемый частицами активной системы, мало меняется в пассивной области из-за сравнительно большого расстояния между ними и электронами наноструктуры и малой толщины пассивной области. Этот потенциал для достаточно тяжелых частиц можно приближенно считать движущейся преградой, упруго отражающей электроны с определенной вероятностью и тем самым передающий им импульс mV в направлении своего движения. При частоте столкновений электронов с преградой ν d = 1/τ d вносимый импульс в среднем равен mV ν d . В свою очередь электроны наноструктуры из-за рассеяния на примесях и фононах теряют направленную скорость с частотой релаксации ν e = 1/τ e . В стационарном режиме устанавливается баланс меж-(1)В отсутствие эффективного трения ν e → 0 и при любой величине взаимодействия ν d = 0 в стационарном режиме достигается полное увлечение V = V ′ и передача импульса прекращается. В этом предельном случае полного увлечения в пассивной системе ток будет равен j d = enV , где n -концентрация электронов, а e -их заряд. Для потока бесстолкновительного нейтрального газа, который можно получить фильтрацией теплового источника достато...

show abstract

Polarized Targets

Cited by 2 publications

References 146 publications

Internal Friction and Photoacoustic Effects in A₂B₆ and A₂B₇(HgI₂) Single Crystals at Different Levels of Ultrasound Strain Amplitude

Internal Friction and Photoacoustic Effects in A₂B₆ and A₂B₇(HgI₂) Single Crystals at Different Levels of Ultrasound Strain Amplitude

Увлечение Электронов В Полупроводниковой Наноструктуре Потоком Нейтральных Частиц

Contact Info

Product

Resources

About

Polarized Targets

Cited by 2 publications

References 146 publications

Internal Friction and Photoacoustic Effects in A2B6 and A2B7(HgI2) Single Crystals at Different Levels of Ultrasound Strain Amplitude

Internal Friction and Photoacoustic Effects in A2B6 and A2B7(HgI2) Single Crystals at Different Levels of Ultrasound Strain Amplitude

Увлечение Электронов В Полупроводниковой Наноструктуре Потоком Нейтральных Частиц

Contact Info

Product

Resources

About

Internal Friction and Photoacoustic Effects in A₂B₆ and A₂B₇(HgI₂) Single Crystals at Different Levels of Ultrasound Strain Amplitude

Internal Friction and Photoacoustic Effects in A₂B₆ and A₂B₇(HgI₂) Single Crystals at Different Levels of Ultrasound Strain Amplitude