Preparation and crystal properties of thin InSb films for highly sensitive magnetoresistance elements

Abstract

High electron mobility thin InSb films were prepared on mica substrates by conventional vacuum evaporation of InSb to obtain highly sensitive magnetoresistance ( M R ) elements. The 0.15-0.5 p m thick InSb films were prepared in the present work. An optimum evaporation programming pattern was obtained. The crystal properties of these InSb films of 0.2-0.3 p m were investigated using a transmission electron microscope. It was shown that films thinner than 0.2 p m were semitransparent and consisted of [ 11 1 ] oriented single-crystal films. The 0.15-0.3 p m thick InSb films are therefore most useful for low-cost MR elements because of their high element resistance, small temperature coefficient of electron mobility, and high sensitivity.

Influence of growth temperature on the stoichiometry of InSb nanowires grown by vapor phase transport

“…The melting point of InSb is about 526 • C. When InSb is evaporated from a single source, the large partial pressure difference between the constituent elements results in a higher flux of Sb. However, these Sb molecules will not condense on the Si growth substrate below 480 • C [15], as its sticking coefficient is almost zero below this temperature. Above 480 • C, incident Sb molecules will condense on the Si substrate.…”

Отрицательное магнитосопротивление в структуре n-InSb/ЖИГ

“…С точки зрения применения антимонида индия в качестве элемента чувствительного к магнитному полю на сегодняшний день широко исследовались магниторезистивные свойства InSb, как в виде тонких пленок, так и монокристаллов [1,[8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18][19][20][21][22][23][24][25]. Было показано, что в случае намагничивания нормально к поверхности образца InSb (тонкая пленка или монокристалл) электрическое сопротивление R увеличивается пропорционально квадрату магнитного поля H, при этом величина магнитосопротивления (МС) может достигать сотен и тысяч процентов в поликристаллических [8][9][10] и эпитаксиальных [11] пленках InSb соответственно. Также было установлено, что для InSb структурированного в виде монокристаллических нанолистов толщиной 10−80 nm с размерами в несколько микрометров [12] величина МС составляет сотни процентов, но положительная квадратичная зависимость наблюдается только в области слабых магнитных полей и сменяется на линейную зависимость с увеличением магнитного поля.…”

“…3, 1а−4а кривыми 1 и 2 показаны зависимости R ⊥ и R , измеренные при ориентации магнитного поля H ⊥ I и H I, соответственно.На рис. 3, 1b−4b показаны зависимости R n (H) при H n, характер которых отвечает положительному МС и имеет зависимость от магнитного поля H согласующуюся с известными результатами[8][9][10]. Величина МС δ = (R(H) − R(H = 0))/R(H = 0) для структур № 1−4 намагниченных по нормали к поверхности не зависит от выбора подложки и составляет ∼ 48, 46, 136 и 12% соответственно, определяясь параметрами пленки InSb.В свою очередь, поведение зависимостей R ⊥ (H) и R (H) существенно определяется параметрами подложки, см.…”