Preparation and electrical properties of thin native oxide double-layer insulator films on n-type InP

Abstract

MIS devices are fabricated by using a native oxide double‐layer insulator film. Capacitance and conductance measurements are carried out at different frequencies and temperatures to investigate the electrical characteristics of the native oxide double‐layer insulator film. The interface properties of the new double‐layer insulator are excellent as compared to the single‐layer MIS diodes. A marked reduction of interface state density as well as the anomalous frequency dependence of the MIS capacitance are observed. The surface composition and stoichiometry of oxides grown on InP by using the InP or alumina cathode are examined by using XPS technique. The XPS results show that the oxide layers are depleted of phosphorus and appeared to be indium‐rich oxides.

Understanding the Role of Single Molecular ZnS Precursors in the Synthesis of In(Zn)P/ZnS Nanocrystals

“…The etching of the amorphous oxide layer from the surface of the In­(Zn)P cores could also explain the change of P XPS signal (Figure a,b). The P 2p XPS spectrum from In­(Zn)P core shows two peaks: one characteristic of InP at 128.9 eV and one, with the dominant contribution at 133.3 eV, that can be assigned to indium phosphate oxide (InP x O y ). , Following shell growth for 120 min, the intensity of InP at 128.8 eV decreased slightly and is shifted by 0.15 eV. The peak at ∼133 eV undergoes not only a larger shift but also a change in shape.…”

Propriétés physiques des structures MIS réalisées sur InP(n) en utilisant un oxyde bicouche comme isolant

“…De plus, on observe, pour des fréquences inférieures à 100 Hz et pour les tensions de polarisation comprises entre -0,3 V et -0,6 V, un palier traduisant un blocage partiel du niveau de Fermi dû vraisemblablement à un niveau piège. Afin d'identifier ce niveau piège, nous avons représenté le diagramme d'Arrhénius de la conductance parallèle liée aux états d'interface Gp/w en fonction de 1 OOOIT à V = -0,6 V. Le résultat de cette analyse permet d'obtenir une énergie d'activation Ea = 0,38 eV [11]. Cette valeur est légèrement inférieure à celle déterminée par la méthode DLTS (Ea = 0,46 eV ) [12], sur d'autres capacités MIS préparées par la même technique dite bicouche.…”

“…Cette valeur est légèrement inférieure à celle déterminée par la méthode DLTS (Ea = 0,46 eV ) [12], sur d'autres capacités MIS préparées par la même technique dite bicouche. La concentration de ce niveau piège déterminée à partir des mesures C-V à 1 MHz par l'utilisation' de la méthode de Terman et par DLTS [11,12], est de l'ordre de 3 x 1012 cm-2 eV-1. Quant à son origine, il semblerait que ce niveau soit dû à des liaisons pendantes de l'antisite InP conformément au modèle théorique développé par Allen et al [13].…”