Preparation of cadmium telluride single crystals for nuclear detectors

The physical properties of cadmium telluride

“…Several other groups have used growth from Te-rich solutions, which yields crystals that are initially Te-saturated at the growth temperature, to establish the deviation from stoichiometry needed for self-compensation. Hôschl et al [72] grew Cl-doped crystals by a technique similar to the Bridgman method, while Wald and Bell [73] and Triboulet et al [74] both used the traveling heater method, the former with Cl-doped starting material and the latter with starting material that had been purified by vertical zone melting. Alekseenko et al [54] also used the traveling heater method but doped the crystals with Cl after growth.…”

Іnfluence of technological conditions of CdTe:v crystals on their equilibrium characteristics

“…Найчастіше високоомний телурид кадмію отримують, легуючи вихідний матеріал домішками, які утворюють мілкі донорні рівні (елементи III і VII груп) і компенсують власні дефекти акцепторного типу [2,3]. Основним недоліком отриманих таким чином кристалів є те, що підвищення загального рівня легуючих атомів приводить до пониження часу життя вільних носіїв, зменшення їх рухливості і часто не забезпечує необхідну термостабільність.…”

Models of donor impurity compensation in cadmium telluride

“…Then the concentration of ionized species [ Vcd] [ yca] are computed from eqs (4), (5) and (6) The numerical value is deduced from the energy of the bonds in compounds like CdCl2, and is not much different from the value assumed by Chern [5].…”