Studies of the growth of F-centres in Harshaw KBr and KC1 during X-irradiation as a function of temperature show that the "late-stage" production rate progressively decreases as the temperature of irradiation T is increased above w 195 "K for KBr and above w 213 "K for KCl. Various mechanisms are examined to explain this effect. The results are found to be in semi-quantitative agreement with the predictions of the excitonic mechanism of defect production, but arguments are presented to show that the mechanism of suppression involving mobile vacancies makes some contribution. The V-bands formed in the range investigated (196 OK < T < 298 "K) show a continuing progressive change in shape and peak position with increasing temperature of irradiation. Their growth behaviour becomes increasingly non-proportional to F-centre growth as T increases, but nevertheless the overall "late-stage" rate decreases in a manner comparable with that found for F-centres, and provides evidence that they are of an interstitial nature. The growth of the 213 nm band shows a two-stage behaviour, the first resulting from decomposition of OHcentres to form the U-band, while the later stage is considered to be due to the formation of V,-mntres.Untersuchungen des F-Zentren-Wachstums in Harshaw-KBr-und KC1-Kristallen wiihrend Rijntgenbestrahlung bei verschiedenen Temperaturen zeigen, d a B die ,,Endstadium"-Erzeugungsrate progreasiv abnimmt, wenn die Beatrahlungstemperatur auf fiber 196 "K fiir KBr und auf fiber 213 "K fiir KCl erhoht wird. Verschiedene Vorgiinge werden untersucht, um diesen Effekt zu erkliren. Die Ergebnisse stimmen halb-quantitativ mit dem ,,Exziton-Mechanismus" fiir Defekterzeugung fiberein. Argumente werden jedoch vorgebracht, um zu zeigen, d a B der Mechanismus der Beweglichkeitsunterdrickung von Leerstellen einen Beitrag liefert. Die V-Bander, die in dem untersuchten Temperaturbereich von 195 OK < T < 298 "K gebildet werden, zeigen mit zunehmender Beatrahlungstemperatur eine kontinuierlich progressive h d e r u n g der Form und des Maximums der Kurve. Das Anwachsen dieser V-Bander wird mit wachsender Temperatur in zunehmendem MaBe nichtproportional dem F-Zentren-Wachstum. Jedoch nimmt die totale ,,Endstadium"-Rate in vergleichbarer Weise wie fiir F-Zentren ab und liefert den Beweis, daD die V-Zentren ihren Ursprung im Zwischengitter haben. Das Anwachsen der 213 nm-Bande zeigt unterschiedliches Verhalten in zwei Abschnitten. Es riihrt im ersten Abschnitt von der Aufspaltung von OH--Zentren her, wahrend fiir den zweiten Abschnitt angenommen wird, da.0 das Anwachsen durch Bildung von V,-Zentren hervorgerufen wird.